命名自发明者肖特基博士（Schottky）的肖特基二极管，区别于传统二极管那种通过P型与N型半导体接触的构造，其由金属与半导体的结合部形成。该二极管的主要优势之一是其较低的正向导通电压，通常在0.15到0.5伏特之间，这样的低导通压降极大提升了电力系统的运行效率。

此外，肖特基二极管的另一突出特点是其极快的反向恢复速度，一般在纳秒级别。因此，它特别适用于高频和大电流的整流场合，常见于低电压续流二极管和保护二极管等应用。肖特基二极管在从导通状态到截止状态的转换并非瞬时完成，而是需要经过一个明显的反向恢复阶段。

在0至t1的时间段内，若对肖特基二极管施加正向VF电压，二极管则处于导通状态，其导通电流IF = (VF-VD)/RL，VD为二极管的导通电压。过了t1时刻，电压V1从VF切换到-VR，虽然理论上二极管应该立即停止导电，实际上会触发一个较大的反向电流IR = VR/RL。这一反向电流持续的时间为存储时间Ts，随后电流逐步减少至近乎零，这一段时间称为过渡时间Tt，此刻二极管方才进入真正的反向截止状态。

总的来说，存储时间Ts加上过渡时间Tt共同组成了肖特基二极管的反向恢复时间。这一恢复过程限制了二极管的切换速度，但也是肖特基势垒二极管（SBD）在高效率电力应用中不可或缺的一个特性。