来源：壹芯微 发布日期
2021-11-26 浏览：-TK4P55D场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家
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壹芯微专业供应TK4P55D系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。
TK4P55D.pdf 数据手册(规格书)下载
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 550 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
| 单脉冲雪崩电流 | IAR | 4 | A |
| 栅极-源极电压 | ID | 4 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | - | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 139 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | 8 | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | - | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 80 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
| 反向漏电流 (DC) | IDRP | 4 | A |
| 反向漏电流（脉冲） | Tch | 16 | A |
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