一、肖特基二极管与稳压二极管的不同之处

肖特基二极管，以其发明者肖特基博士（Schottky）命名，也称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）。与传统的PN结二极管不同，肖特基二极管采用金属与半导体接触形成的金属-半导体结构制作。此二极管因N型半导体中电子丰富，而贵金属中自由电子较少，电子从N型半导体向贵金属扩散，形成势垒，具备独特的整流特性。

二、稳压二极管的特性和应用

稳压二极管，亦称齐纳二极管，是一种在特定反向击穿电压下，电压保持恒定的半导体器件。其特点是在击穿电压以下具有高电阻，而在临界点以上，电阻急剧下降，电压维持稳定，从而发挥稳压作用。常用于电路中作为电压参考或稳压元件，能串联使用以适应更高电压的需求。

三、概述二极管的结构与应用

二极管是由PN结构、电极引线和外壳封装组成的基本半导体器件，虽结构简单，但应用广泛。本文介绍稳压二极管和肖特基二极管，以及它们之间的区别，为读者提供更深入的理解。

四、肖特基二极管和稳压二极管的区别分析

肖特基二极管的正向导通电压较低，约为0.4V，且在达到反向击穿电压前不会导通。它作为快速反应开关使用。相比之下，稳压二极管的正向导通电压与常规二极管相似，约为0.7V，但其在临界电压之前不导通，到达临界电压时则开始导通，电压不再增加。因此，稳压二极管主要用于关键元件上，提供稳压功能。