NCEP60T12AK参数,NCEP60T12AK MOS管报价免费送样 - 壹芯微

NCEP60T12AK场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：120A；封装(Pageke)：TO-252；

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漏源电压 VDS 60V

栅源电压 VGS ±20V

漏极电流-连续（硅限制） ID 120A

漏极电流-连续(TC=100℃) ID (100℃) 100A

脉冲漏极电流 IDM 480A

最大功耗 PD 180W

降额系数 1.2W/℃

单脉冲雪崩能量（注 5） EAS 500mJ

工作结点和存储温度范围 TJ,TSTG -55 至 175℃

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。