NCEP60T12AK参数,NCEP60T12AK MOS管报价免费送样 - 壹芯微
NCEP60T12AK场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):60V;电流(ID):120A;封装(Pageke):TO-252;
大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号
漏源电压 VDS 60V
栅源电压 VGS ±20V
漏极电流-连续(硅限制) ID 120A
漏极电流-连续(TC=100℃) ID (100℃) 100A
脉冲漏极电流 IDM 480A
最大功耗 PD 180W
降额系数 1.2W/℃
单脉冲雪崩能量(注 5) EAS 500mJ
工作结点和存储温度范围 TJ,TSTG -55 至 175℃
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