mos管公式-MOS管公式驱动电流-饱和区电流等

mos管公式详解

mos管公式-MOS管驱动电流的估算

mos管公式驱动电流的估算第一种:

可以使用如下公式估算：

Ig=Qg/Ton

其中：

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。

Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）

mos管公式驱动电流的估算第二种:

密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；

mos管公式驱动电流的估算第三种:

以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：

67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。

mos管公式饱和区电流公式及其详解

mos管公式饱和区电流公式，在强反型状态下饱和区中的工作。小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化。假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态，而且工作在饱和区，求这种状况下的小信号参数。

可将跨导gm表示如下：

在能够疏忽沟道长度调制效应的状况下，得到

这个跨导gm能够用漏极电流ID表示为

也能够用漏极电流ID和栅极-源极间电压VGS表示为

体跨导gmb能够由下式求得：

由式(1．18)和式(1.20)，能够分别导出

所以得到

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