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MOS管的定义与特性及应用介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2023-02-21 浏览:-

1.什么是MOS管?

MOS管的定义:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。 其属于半导体主动元件中的分立器件,能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,是电压器件。
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2.MOS管的特性

MOS管的三个极分别是:G(栅极),D(漏极),S(源极),当栅极和源极之间电压大于某一特定值,漏极和源极才能导通。

MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。 此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。
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3.MOS管的常见应用

MOS管的隔离作用,其实质也就是实现电路的单向导通,它就相当于一个二级管。 与直接使用二极管相比,MOS管做隔离时,可以让MOS管饱和刀捅,这样通过的电流几乎不产生压降。

(1)PMOS

PMOS管常用于管理电源的通断,属于无触点开关(无触点开关是一种由微控制器和电力电子器件组成的新型开关器件,依靠改变电路阻抗值,阶跃地改变负荷电流,从而完成电路的通断)。 栅极低电平时完全导通,高电平时完全截止。 而且,栅极可以加高过电源的电压,则可以用5v信号管理3.3v电源的开关,此原理也用于电平转换。

(2)核磁共体

NMOS常用于管理某电路是否接地,属于无触点开关,栅极高电平时导通接地,低电平时截止。 其高电平可以高过被控制部分的电源,因为栅极是隔离的。 因此也可以用5v信号控制3.3v系统的某处是否接地。
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