MOS管并联的相关知识

一、MOS管并联理论：

(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。

(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。

MOS管的这一特性适合并联电路中的均流，因此当电路中电流很大时，一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。采用MOS管进行电流的均流时，当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时，电流大的MOS管产生的热量多，从而引起导通电阻的增大，减少流过的电流。MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节，最后可实现两个MOS管之间的电流均衡。

二、MOS管并联注意事项：

(1)、各个MOS管的栅极不能直接相连，栅极要分别串接驱动电阻进行驱动，以防止振荡。持一致，因为如果不一致，先开启的MOS管或后关断的MOS管会因为电流过大而击穿损坏。

(3)、为了以防万一，最好在各个MOS管的源极串接均流电阻，当然这并非强制选项。

三、MOS管并联应用：

(1)、功率开关MOSFET的集成IC芯片，其内部是将大量的小MOS管并联连接起来的，这样每一个MOS管单元中流过的电流很小，防止局部的电流集中(若电流局部集中，则器件就损坏)，但是电路总体可以通过较大的电流，非常适合驱动电机等重负载设备。当然多个MOS管并联还可以改善高频特性，这已经成为目前功率开关MOS管的主要结构。

(2)、电池等供电设备是移动设备获取电力的主要来源之一，但是一般的高功率电池供电电流都非常大(功率使用可以达到100A),因此仅仅使用单MOS管作为开关器件还不能满足大电流的应用目的，这时多个MOS管并联便能大展身手了。

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