收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 基于LM358的单片机掉电保护电路设计介绍|壹芯微

基于LM358的单片机掉电保护电路设计介绍|壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2022-04-26 浏览:-

基于LM358的单片机掉电保护电路设计介绍|壹芯微

在单片机系统中为了防止突然掉电而造成数据丢失,一般需要把重要的数据存储在EEPROM中。由于EEPROM擦写寿命有限,故不宜程序每执行一遍,对其擦除一次。本设计提出了一种以LM358为电压比较器,当检测到系统掉电时才对EEPROM进行擦写的掉电保护系统,并设计了硬件电路,开发了相应的软件。利用该系统不仅实现了数据掉电的保护,而且延长了EEPROM的使用寿命。

1.掉电保护简介

掉电数据保护是系统设备一个重要的功能。是指在掉电时,所有的数据将一直保存在磁盘上,直到重构完成后才删除。当此项设置为可用时,在重构过程中(非重建),这样如果在重构过程中发生掉电,将不会发生数据丢失的危险情况。指在正常供电电源掉电时,迅速用备用直流电源供电,以保证在一段时间内信息不会丢失,当主电源恢复供电时,又自动切换为主电源供电。

目前,掉电数据保护的方法主要有2种:

(1)加足够容量备用蓄电池,使系统掉电后继续工作;

(2)不加备用电池,把掉电时需要保护的数据存储在非易失性存储器中,如FLASH和EEPROM。

第一种方法器件体积大、费用高并且蓄电池寿命短;第二种方法简单,但擦写器件的寿命有限。本文在第二种的基础上提出一种改进方法,即利用LM358作为电压比较器,当检测到系统掉电时才将数据写入EEPROM中。该方法不仅实现了系统数据掉电的保护,而且延长了EEPROM的寿命。

2.电路设计

掉电保护电路原理图

图1 掉电保护电路原理图

如图1,通过调节R2,使系统正常供电时,Ua》Ub=3.5V,c端输出高电平;当系统掉电时,因二极管D1的隔离,使LM358得不到供电。由于电容C2和电感L的存在,电容C2和电感L1继续为单片机提供短暂时供电,并且因下拉电阻R5的存在,使得c端输出低电平。用于触发单片机INT0中断。

根据STC12C5A60S2系列单片机资料,对EEPROM写一个字节和擦除一个扇区所需的时间分别为55μs和21ms。正常模式下,典型功耗为2mA-7mA。5V单片机和3.3V单片机对EEPROM进行操作的有效最低电压分别为Umin=3.7V和Umin=2.4V。

系统掉电后,等效电路模型为RLC串联回路。放电过程时电路的微分方程为:

根据R、L和C的参数值的不同,可分为欠阻尼振荡状态、临界阻尼状态、过阻尼状态。上面的方程可分为以下三种:

综上所述:当负载R一定时,选取合适的电容和电感(本文选取C2=6600uf/25V、L1=0.1H)。L1和C2的具体参数可通过试验测试得到。只要uc(t)从初始状态的uc(t)|t=0衰减到uc(t)|t=t0=Umin的时间大于维持触发中断对EEPROM进行操作所需的时间t0就能满足系统正常工作的要求。

3.单片机软件设计

主程序和中断服务子程序流程图分别如下图2和图3所示。

主程序

图2 主程序

中断服务子程序

图3 中断服务子程序

与本设计有关的程序如下:

voidmain(void)

{

??

Byte_Read(Address);

While(1)

{??}

}

voidINT0_int()interrupt0

{

Sector_Erase(Address);

Byte_Program(Address,Date);

Delay(XX);//延时,确保系统可靠

}

分析:系统掉电时,INT0中断被触发,在中断服务子函数中对EEPROM进行擦除和写的操作。

总结

该系统的实现,应用于二维运动控制平台。系统掉电时,X轴和Y轴坐标以及其他参数被写入EEPROM中。系统重新上电后,读取出存储在EEPROM里X轴和Y轴坐标及其他参数,工作平台以该位置为起点继续沿着原设定的位置运动。本文的核心就是基于LM358作为电压比较器,检测到系统掉电时才对EEPROM进行擦写,避免了每执行一遍程序对EEPROM进行擦除一次而造成其寿命短的问题。软、硬件结构设计简单,提高了系统的实用性。并且本文给出了典型的应用程序,具有良好的可移植性。加入循环语句可以把多个数据存EEPROM或从EEPROM里读出。

深圳壹芯微科技,20年专业生产“二极管、三极管、场效应管、桥堆”等,专业生产管理团队对品质流程严格管控,超过4800家电路电器生产企业选用合作,价格低于同行(20%),更具性价比,提供选型替代,送样测试,数据手册,技术支持,售后FEA,如需了解更多详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服!

手机号/微信:13534146615

QQ:2881579535

推荐阅读

【本文标签】:肖特基二极管 快恢复二极管 整流二极管 MOS管 场效应管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代

2AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代

3利用LM3886驱动靓声功放的设计图文介绍|壹芯微

4LM3886与TDA7294、LM1875的比较图文解析|壹芯微

5利用LM3886组成的BTL功放线路解析|壹芯微

6AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代

7AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代

8LM3886功放电路的设计与改进介绍|壹芯微

9LM339与LM339N的区别介绍|壹芯微

10LM339的特点、引脚功能及使用介绍|壹芯微

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号