一、晶体管相较于电子管,具备诸多优势,主要可归纳为以下三大类:
1. 维护便捷:电子管因阴极原子变化和漏气问题而渐渐退化,而晶体管则因技术进步及改进,在寿命上有了明显提升。这种免维护的特性使得晶体管在长期使用中更加可靠。
2. 低功耗:晶体管的功耗远远低于电子管,仅为其十分之一甚至更低。相较于电子管需要通过加热灯丝产生自由电子,晶体管则只需几个干电池即可维持较长时间的运行。这一优势使得晶体管在电子设备设计中得到广泛应用,尤其是对电池供电设备。
3. 快速启动:与电子管需要预热不同,晶体管可以立即启动工作,无需等待预热时间。这一特性使得晶体管在一些对启动速度要求较高的场合中特别受欢迎,如军事和测量领域。
二、判断和计算方面,针对晶体管的特性,有以下几点需要注意:
1. 基极和管型的确认:通过测量电阻值的方式可以判断晶体管的基极和管型。这种方法简单易行,对于基础的晶体管识别非常有效。
2. 集电极的确定:对于三极管,正确连接发射极和集电极时,放大系数较大。通过捏住基极和假设的集电极的方式,可以帮助确认集电极和发射极的位置。
3. 电流放大系数β的估算:通过测量不同工作状态下的电阻值变化,可以估算出晶体管的电流放大系数β。这对于进一步理解晶体管的工作特性具有重要意义。
三、针对MOS晶体管,有一些特殊的工作参数需要关注:
1. 最高工作频率:对于MOS晶体管而言,最高工作频率与栅极输入电容CGC的充放电电流和漏源交流电流的关系密切相关。了解这一参数有助于优化MOS晶体管的工作性能。
2. 跨导gm:MOS晶体管的跨导gm衡量了其对VGS的控制能力,在设计电路时需要考虑这一参数以保证性能稳定。
3. 阈值电压:MOS晶体管的阈值电压与多种因素相关,了解其影响因素有助于更好地设计和使用MOS晶体管。
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