收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 反激电源MOS管两次振铃现象介绍

反激电源MOS管两次振铃现象介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2022-09-15 浏览:-

反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因?这是一个典型的问题,本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振,然而几天后我发现,当时我并没有充分理解问题,这位朋友所要了解的问题其实应细化为:为什么会有两次谐振,谐振产生的模型是怎样的?

如下为反激式电源实现方案,该方案采用初级侧稳压(PSR)技术,
1.png

Q1导通时,变压器初级电感存储能量,输出续流二极管Dfly反向偏置,Cout输出能量给负载;
2.png

Q1关断时,变压器初级线圈释放能量,输出续流二极管正向偏置,向输出端提供电能;
3.png

开关电源产生振铃的主要原因在于非理想器件存在功率级寄生电容、电感。所谓谐振,即:在MOS管开通、关断切换的过程中,寄生电感将能量传递给寄生电容进行充电,充电结束后寄生电容又释放电能给寄生电感储能,如此循环往复。
4.png

图片中,有2次谐振,
5.png

第一次谐振

该谐振产生的时间点在MOS管关断的瞬间,等效谐振电路如下:

Loop:初次级间的漏电感、初级励磁电感、功率MOSFET封装电感之和

Coss:MOS管寄生电容、线路寄生电容
6.png

第二次谐振

这是开关电源DCM模式特有的一个振铃现象,

此处你必须要了解开关电源电感如下两种模式:

CCM:连续导通模式,次级端反射电流在MOS通断,变压器线圈换相期间不会到达0;

DCM:断续导通模式,次级端反射电流在MOS通断,变压器线圈换相期间到达0。

在DCM模式下,当MOS管关断,且在次级反射电流消耗为0之前,次级线圈输出相位的电压高于实际输出电压;当反射电流消耗为0,即次级线圈电流消耗为0时,实际输出电压由输出电容提供,此时次级输出相位的电压等于0,在次级输出相位电压由高于输出电压到等于0的变化过程中,会出现电压的衰减振荡,而该衰减振荡会耦合到初级线圈并加载在MOS与线圈连接的开关节点处。
7.png

由于该谐振给MOS管的寄生电容充电,若MOS在此时导通,则可能碰到寄生电容电位被充到较高的时刻,此时寄生电容所充电的能量若被直接导到GND会造成MOS管的导通损耗,针对该问题,诞生出了准谐振技术,即:DCM模式下,初级侧MOS在开关节点谐振电压摆幅的谷底附近导通

壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售,20年行业经验,拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等,研发技术、芯片源自台湾,专业生产流程管理及工程团队,保障所生产每一批物料质量稳定和更长久的使用寿命,实现高度自动化生产,大幅降低人工成本,促进更好的性价比优势!选择壹芯微,还可为客户提供参数选型替代,送样测试,技术支持,售后服务等,如需了解更多详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服!

手机号/微信:13534146615

QQ:2881579535

推荐阅读

【本文标签】:

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1反激电源MOS管两次振铃现象介绍

2MOS管寄生电容的形成介绍

3MOS管和IGBT的区别介绍

4IGBT模块及散热系统的等效热模型介绍

5差动放大电路介绍

6镜像恒流源电路分析介绍

7运算放大器 | 用虚短虚断来排查导致电路异常的原因介绍

8运算放大器的内部结构介绍

9运算放大器基本电路_运算放大器电路符号介绍

10电子负载原理及测量误区介绍 | 壹芯微

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号