电路分享，用场效应管进行过流保护的电路图介绍

使用 MOSFET 进行过流保护 – 电路原理图

电子电路必须具有过流保护，以防止大电流造成损害。由于开关时间快且导通电阻低，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）可用作过流保护电路中的开关。在本文中，我们将讨论基于 MOSFET 的过流预防的简单原理图电路图。

成分：

检测电阻器 (Rs)：该电阻器用于测量流过电路的电流，与负载串联。

比较器（运算放大器）：使用运算放大器将检测电阻器两端的电压与参考电压进行比较。

参考电压（Vref）：过流检测的阈值是预设电压。当检测电阻两端的电压大于参考电压时，比较器的输出将改变状态。

MOSFET（N沟道）：电路中的开关就是这个MOSFET。当比较器的输出为高电平时，MOSFET 导通，基本上切断负载与电源的连接。

电路操作：

检测电阻 (Rs) 产生的电压与流过它的电流成正比。该电压通过运算放大器与参考电压 (Vref) 进行对比。当负载电流在典型范围内时，Rs 两端的电压保持低于 Vref，运算放大器输出保持低电平。

如果发生过流情况（例如短路或负载电流过大），Rs 两端的电压将超过 Vref。因此，运算放大器的输出增加。 MOSFET 的栅极由该强输出信号驱动，将其打开并切断负载电流。

好处：

该电路非常简单且价格实惠，因此非常适合各种应用。

由于导通电阻较低，MOSFET 可以减少开关上的电压骤降。

由于MOSFET的快速开关特性，响应时间快。

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