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场效应管的导通条件详解

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2023-09-13 浏览:-

场效应管的导通条件详解

MOSFET是十分常见的一种电子元器件,通常被应用为一个三端控制器,或者开关管,其开关频率和峰值电压都可以做到很高,而且价格十分低廉,因此被广泛应用于各种电子电路中。

常用的MOSFET有两种类型,一种是N沟道型MOSFET,另一种是P沟道型MOSFET。

下面笔主就简单为大家介绍一下这两种类型的MOSFET的导通条件。

1 N_MOSFET的导通条件

N_MOSFET的导通条件是通过其阀值电压UGS(UGS>0)来控制的,一般每个不同MOSFET的规格书(datasheet)里面都会有一个阀值电压值UGS(th)。
1.jpg

2 P_MOSFET的导通条件

与N_MOSFET一样,P_MOSFET也是通过其阀值电压UGS(UGS<0)来控制的。
2.jpg

3 MOSFET标准符号
3.png

备注:

如果N_MOSFET和P_MOSFET的类型不好分辨,可以看箭头的方向。若箭头方向指向G极,则为N_MOSFET;若箭头方向指向体二极管,则为P_MOSFET。

如果N_MOSFET和P_MOSFET的输入端和输出端不好分辨,可以看体二极管。在MOSFET导通情况下,体二极管始终处于截止状态(即体二极管的负极为输入端,体二极管的正极为输出端)。

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