收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 场效应管的参数大全图

场效应管的参数大全图

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2020-06-18 浏览:-

场效应管的参数大全图

饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。

交流参数

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。

极限参数

①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值,

②最大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子最高工作温度的限制,

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压,

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

使用时主要关注的参数有:

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

场效应管的参数

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:肖特基二极管 快恢复二极管 整流二极管 MOS管 场效应管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代

2AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代

3利用LM3886驱动靓声功放的设计图文介绍|壹芯微

4LM3886与TDA7294、LM1875的比较图文解析|壹芯微

5利用LM3886组成的BTL功放线路解析|壹芯微

6AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代

7AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代

8LM3886功放电路的设计与改进介绍|壹芯微

9LM339与LM339N的区别介绍|壹芯微

10LM339的特点、引脚功能及使用介绍|壹芯微

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号