超低压差LDO和普通LDO的区别介绍

在了解超低压差LDO和传统LDO的区别前，先简单了解一下PMOS和NMOS的特性差异：NMOS使用的载流子是电子，而PMOS采用的载流子是空穴，就这导致在相同的工艺尺寸下，NMOS的导通电阻更小，过流能力更强。

LDO是线性稳压器，其原理就是通过反馈电阻、误差放大器等模块，使内部的MOS管工作在恒流区(即饱和区)，如下图所示，从而使输出电压保持稳定。那么，损耗

在MOS管上的功耗就为(Vin-Vout)*Iout。

因此，当Iout非常大的时候，必须降低Vin和Vout间的压差，来减小电源的损耗和发热。

在手机、AR等便携式消费电子产品中，LDO的封装通常都是非常小的。传统的PMOS管LDO的过流能力通常在300mA以下，且LDO的drop电压通常也在百mV级别，无论是带载能力、效率、热耗，都无法满足

再详细研究一下NMOS管LDO的内部框图，其主要也是由MOS管、分压电阻、参考电压电路、误差放大器构成的一个负反馈回路。仔细观察会发现其比PMOS LDO多一个BIAS pin，这是因为NMOS管的导通需要Vgs电压大于0，因此BIAS的电压就需要比Vout电压高，规格书中都会有明确标注。

总结一下：超低压差LDO(NMOS管构成)相比传统LDO(PMOS管构成)，其输出电流更大，drop电压更小，效率更高(得益于NMOS管的特性)，通常用在对噪声、带载能力都有严格要求的场合。但两者的内部环路模块基本一致，分析方法也相同。

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