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3N65KL-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 4A - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-23 浏览:-

3N65KL-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 4A - 场效应MOS管 - 壹芯微

3N65KL-TN3-R

型号:3N65KL-TN3-R 极性:N沟道;电压:650V 电流:3A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

3N65KL-TN3-R参数中文资料,3N65KL-TN3-R封装管脚引脚图,3N65KL-TN3-R规格书

3N65KL-TN3-R

3N65KL-TN3-R的概述:

3N65KL-TN3-R是一款高电压和大电流功率MOSFET,旨在具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路的高速开关应用。

3N65KL-TN3-R的特性:

RDS(ON)=3.8Ω @VGS=10V

超低栅极电荷(典型值 10nC)

低反向传输电容(CRSS=典型值 5.5pF)

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,高耐用性

3N65KL-TN3-R

3N65KL-TN3-R绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

3N65KL-TN3-R

Drain-Source Voltage 漏源电压 VDSS:650 V

Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS:±30 V

Avalanche Current 雪崩电流(注 2) IAR:3.0 A

Continuous Drain Current 连续漏极电流 ID:3.0 A

Pulsed Drain Current 脉冲漏极电流(注 2)IDM:12 A

Power Dissipation 功耗 TO-220 PD:75 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F/TO-220F1 PD:34 W

Power Dissipation 功耗 TO-251/TO-252 PD:50 W

Junction Temperature 结温 TJ:+150 °C

Operating Temperature 工作温度 TOPR:-55 ~ +150 °C

Storage Temperature 储存温度 TSTG:-55 ~ +150 °C

注意: 2. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

  3. 重复评级:脉冲宽度受最大结温限制

  3. L=64mH,IAS=3.0A,VDD=50V,RG=25 Ω,起始 TJ=26°C

  4. ISD≤3.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始 TJ=26°C


壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售,至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们,免费试样热线:13534146615(微信同号) QQ:2881579535 或请咨询官网在线客服。

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