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场效应MOS管STD5NM60参数

场效应MOS管STD5NM60参数

场效应MOS管STD5NM60参数

产品简介

PD最大耗散功率:96WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

产品详情



STD5NM60是一种N沟道功率MOSFET(场效应管),广泛应用于电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

一、应用场景:

1. 电源管理系统:STD5NM60常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及AC-DC转换器中。它能够有效提高电源效率,减少热损失。

2. 电机驱动:在电动工具和家电中,STD5NM60用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高开关速度和低导通电阻使其成为电机驱动器的理想选择。

3. 照明系统:LED照明控制器和镇流器中,STD5NM60被用于调节电流和电压,以实现高效能和长寿命。

4. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,STD5NM60用于逆变器电路,通过将直流电转换为交流电供给电网或家庭使用。

5. 消费电子产品:如电视、计算机电源和游戏机等,STD5NM60被广泛应用于其内部电源模块中,以保证设备稳定运行。

二、参数特点:

- 电压与电流:
- 最大漏源电压(VDSS):600V
- 最大漏极电流(ID):4.5A(在25°C时)

- 导通电阻(RDS(on)):在典型条件下,STD5NM60的导通电阻为1.6Ω,意味着它具有低的导通损耗,适合高效能应用。

- 开关速度:
- 上升时间(tr):13ns
- 下降时间(tf):12ns
- 开通延迟时间(td(on)):15ns
- 关断延迟时间(td(off)):40ns

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