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场效应MOS管IRFW650B参数

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场效应MOS管IRFW650B参数

产品简介

PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

产品详情



IRFW650B是一种常见的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电力电子领域。下面将详细介绍IRFW650B的应用场景和参数特点。

一、应用场景:

1. 开关电源(Switched-Mode Power Supply, SMPS):IRFW650B常用于开关电源中,特别是在DC-DC转换器和AC-DC转换器中。由于其高效的开关特性和低导通电阻,使得开关电源能够高效地转换电能,减少功率损耗和发热。

2. 电机驱动(Motor Drive):在电机驱动领域,IRFW650B被用于控制电动机的速度和方向。其高耐压和高电流处理能力使其在电机驱动电路中表现优越,尤其是在工业自动化和电动汽车中广泛应用。

3. 太阳能逆变器(Solar Inverter):太阳能逆变器需要将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。IRFW650B在此过程中起着关键作用,其高效的转换效率和可靠的工作性能,确保了太阳能系统的稳定运行。

4. 不间断电源(Uninterruptible Power Supply, UPS):在UPS系统中,IRFW650B被用于电池管理和逆变器部分。其可靠的开关特性和高电流承载能力,保证了在停电情况下能够快速切换到备用电源,维持设备正常运行。

5. 电焊机(Welding Machine):电焊机需要在高电流和高频率下工作,IRFW650B的高耐压和低导通电阻特性,使其非常适合用于电焊机的功率控制部分,提供稳定的焊接电流和高效的能量转换。

二、参数特点:

- 耐压高(High Voltage Rating):IRFW650B的击穿电压为500V,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压特性的电力电子设备。

- 低导通电阻(Low On-Resistance):其典型导通电阻仅为0.85Ω,这意味着在导通状态下,IRFW650B能有效减少功率损耗,提高系统的效率。

- 高电流处理能力(High Current Handling Capability):IRFW650B的最大连续漏极电流为17A,这使其能够处理较大的电流,适用于需要高电流处理能力的应用场景,如电机驱动和电焊机。

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