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场效应MOS管IRF840参数

场效应MOS管IRF840参数

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产品简介

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:4.9SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:4.8A

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