场效应MOS管IRF624A参数

PD最大耗散功率：49WID最大漏源电流：4.1AV(BR)DSS漏源击穿电压：250VRDS(ON)Ω内阻：1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流：2.05AVRDS(ON)栅极电压：10VVGS(th)V开启电压：2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

STP5NC50是一款用于多种应用场景的N沟道功率MOSFET，具有优秀的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

一、应用场景：

1. 开关电源：STP5NC50在开关电源中广泛应用，其高效能和低导通电阻使其成为理想的选择。

2. 电机驱动：在电机驱动电路中，STP5NC50用于控制电机的启动和停止，提供稳定的性能。

3. 太阳能逆变器：在太阳能逆变器系统中，STP5NC50用于提升能量转换效率。

4. 电池管理系统：用于电池管理系统中的充放电控制，STP5NC50提供高效的能量传输。

二、参数特点：

- 低导通电阻：STP5NC50具有极低的导通电阻，降低了能量损耗，提高了系统效率。

- 高速开关：这款MOSFET具有高速开关特性，适用于高频应用场景。

- 高耐压：STP5NC50具有500V的高耐压能力，适用于高电压应用。

- 低栅极电荷：低栅极电荷特性使得STP5NC50在驱动时所需能量更少，提升系统效率。