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场效应MOS管FQPF7P20参数

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场效应MOS管FQPF7P20参数

产品简介

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:-5.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:-200VRDS(ON)Ω内阻:0.69ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.6AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

产品详情



FQPF7P20是一种P沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

一、应用场景:

1. 电源管理系统:FQPF7P20常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。其高效的开关特性和低导通电阻使其在电源管理应用中能够有效地减少功率损耗,提高整体效率。

2. 电机驱动器:在电动工具和小型电动车辆的电机驱动器中,FQPF7P20用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的高电流处理能力和耐高压性能使其非常适合这一应用。

3. 逆变器电路:FQPF7P20常用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)等应用。

4. 负载开关:在需要高效控制大功率负载的应用中,FQPF7P20用作负载开关。其低栅极驱动电压和快速开关能力使其能迅速响应控制信号,实现精确控制。

5. 保护电路:FQPF7P20还用于各种保护电路中,如过流保护和过压保护电路。其高耐压特性和可靠的开关性能能够有效地保护电路组件免受意外损坏。

二、参数特点:

- 低导通电阻(RDS(on)):FQPF7P20的导通电阻非常低,这意味着在开关状态下,它的功率损耗很小。这一特性使其在高效能电源应用中表现出色。

- 高耐压性:FQPF7P20的漏源击穿电压(VDS)高达200V,能够承受较高的电压应力,适用于需要高耐压能力的应用场景。

- 低栅极驱动电压:FQPF7P20具有低栅极驱动电压特性,通常为-10V。这使得其在低压控制电路中也能正常工作,并且易于与各种控制芯片配合使用。

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