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场效应MOS管IRF630N参数

PD最大耗散功率:82WID最大漏源电流:9.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF630N是一款极具实用性的N沟道场效应管,其应用场景广泛且参数特点突出。

    一、应用场景:

    1. 功率放大器:IRF630N以其高耐压和大电流承受能力,在功率放大器中有着重要应用。其低导通电阻为电路提供了高效能的支持,使其成为输出大功率信号的理想选择。

    2. 开关电源:在开关电源系统中,IRF630N展现出其优异的快速开关特性,能够实现高效率的能量转换。其低导通电阻和快速响应的特点,确保了开关电源的高效稳定运行。

    3. 直流电机驱动:作为电机驱动电路的核心组件之一,IRF630N能够应对直流电机启动时的高电流冲击,保证了电机的稳定运行。其耐压能力和电流承受能力使其成为直流电机驱动领域的重要组成部分。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,IRF630N扮演着关键角色,可实现直流到交流的转换。其稳定可靠的性能保证了逆变器系统的高效运行,适用于各种功率要求的应用场景。

    5. 电源管理:IRF630N也被广泛应用于电源管理领域,如稳压、过载保护等功能的实现。其优异的参数特点为电源管理电路提供了可靠的支持,保障了电子设备的稳定工作。

    二、参数特点:

    1. 耐压能力:IRF630N具有较高的耐压能力,通常可达200V以上,适用于各种高压环境下的应用场景。

    2. 导通电阻:该器件具有低导通电阻,一般在几欧姆以下,有助于降低功率损耗,提高系统效率。

    3. 电流承受能力:IRF630N能够承受较大的电流,一般可达10安培以上,适用于需要高电流输出的电路设计。

    4. 开关速度:该器件具有较快的开关速度,能够实现快速的开启和关闭,提高了系统的响应速度和稳定性。

    5. 温度特性:IRF630N在不同温度下表现稳定,能够在广泛的工作温度范围内正常运行,适用于各种环境条件下的应用场景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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