CEU14G04参数中文资料厂家直营 - 场效应MOS管 - 壹芯微CEU14G04场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):40V;电流(ID):125A;封装(Pageke):TO-252;大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号Drain-Source Voltage 漏源电压 VDS 40VGate-Source Voltage 栅源电压 VGS ±20VDrain Current-Continuous 漏极电流连续 ID 125ADrain Cu