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[常见问题解答]低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域[ 2021-11-11 18:16 ]: 低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域低内阻场效应管 4N10的特点：VDS=100VID=3.8ARDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V封装：SOT-23-3L低内阻场效应管 4N10的应用领域：负载开关电池保护不间断电源低内阻场效应管 4N10的极限值：(如无特殊说明，TC=25℃)漏极-源极电压 VDS：100V栅极-源极电压 VGS：±20V漏极电流-连续 ID：3.5A漏极电流-脉冲 IDM：8A总耗散功率 PD：3.76W存储温度 TSTG：-55~150℃工; http://www.szyxwkj.com/Article/dnzcxyg4n1_1.html

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