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[常见问题解答]场效应管主要参数及与其他管子的对比[ 2022-08-22 14:14 ]: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。场效应管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的主要参数; http://www.szyxwkj.com/Article/cxygzycsjy_1.html

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[行业资讯]SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]: SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕SDU05N04中文参数,SDU05N04封装引脚图,SDU05N04数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SDU05N04场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：400V栅源电压(VGSS)：±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：4A漏极电流-连续(TJ=70°C)(ID)：3.3A漏极电流-脉冲(IDM)：12A单脉冲雪崩能量(EAS)：2.5mJ功耗(TC=25°; http://www.szyxwkj.com/Article/sdu05n04cx_1.html

[行业资讯]FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]: FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕FDD5N50中文参数,FDD5N50封装引脚图,FDD5N50数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)FDD5N50场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：500V栅源电压(VGSS)：±30V雪崩电流(IAR)：4A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：4A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：2.4A漏极电流-脉冲(IDM)：16A单脉冲雪崩能量(EAS)：256mJ重复雪崩能量; http://www.szyxwkj.com/Article/fdd5n50cxy_1.html

[行业资讯]NDD05N50ZT4G场效应管参数,NDD05N50ZT4G规格书下载,中文资料[ 2021-12-01 16:09 ]: NDD05N50ZT4G场效应管参数,NDD05N50ZT4G规格书下载,中文资料壹芯微®NDD05N50ZT4G替代国际知名品牌对应型号,MOS(场效应管)NDD05N50ZT4G详细参数,封装引脚图,规格书(数据手册)(图：NDD05N50ZT4G场效应管封装TO-252引脚图)NDD05N50ZT4G场效应管主要参数参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR-A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID4.7A栅极-源极电压(TJ=100&; http://www.szyxwkj.com/Article/ndd05n50zt_1.html

[行业资讯]AP05N50EH场效应管参数资料,AP05N50EH-HF规格书下载,MOS管厂家直销[ 2021-12-01 14:43 ]: AP05N50EH场效应管参数资料,AP05N50EH-HF规格书下载,MOS管厂家直销壹芯微®AP05N50EH替代国际知名品牌对应型号,MOS(场效应管)AP05N50EH详细参数,封装引脚图,规格书(数据手册)(图：AP05N50EH场效应管封装TO-252引脚图)AP05N50EH场效应管主要参数参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR5A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5A栅极-源极电压(TJ=100°C)ID-A脉; http://www.szyxwkj.com/Article/ap05n50ehc_1.html

[行业资讯]AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H参数规格书下载[ 2021-12-01 14:35 ]: AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H-HF参数规格书下载AP05N50H参数及代换,AP05N50H封装引脚图,AP05N50H规格书(数据手册)(图(如上)：AP05N50H,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应AP05N50H系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。AP05N50H场效应管主要参数如下：参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±20V雪崩电流IAR3A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A栅极-源极电; http://www.szyxwkj.com/Article/ap05n50hcx_1.html

[行业资讯]IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料[ 2021-11-30 11:41 ]: IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料IRFR430A参数及代换,IRFR430A封装引脚图,IRFR430A规格书(数据手册)(图(如上)：IRFR430A,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应IRFR430A系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。IRFR430A场效应管主要参数如下：参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR5.0A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A栅极-源极电压(T; http://www.szyxwkj.com/Article/irfr430acx_1.html

[行业资讯]FDD5N50NZF场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家[ 2021-11-30 10:56 ]: FDD5N50NZF场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家FDD5N50NZF参数及代换,FDD5N50NZF封装引脚图,FDD5N50NZF规格书(数据手册)(图(如上)：FDD5N50NZF,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应FDD5N50NZF系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。FDD5N50NZF场效应管主要参数如下：参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±25V雪崩电流IAR3.3A栅极-源极电压(TJ=25&de; http://www.szyxwkj.com/Article/fdd5n50nzf_1.html

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[行业资讯]SPD02N60S5场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料[ 2021-11-29 14:59 ]: SPD02N60S5场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料SPD02N60S5参数及代换,SPD02N60S5封装引脚图,SPD02N60S5规格书(数据手册)(图：SPD02N60S5 MOS场效应管 TO-252封装引脚图)壹芯微供应SPD02N60S5系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。SPD02N60S5场效应管主要参数如下：参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±20V雪崩电流IAR1.8A栅极-源极电压ID1.8A漏极电流-脉冲ID pul; http://www.szyxwkj.com/Article/spd02n60s5_1.html

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