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[行业资讯]AO3401场效应管参数,AO3401规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-11 15:36 ]
AO3401场效应管参数,AO3401规格书中文资料,参数代换 AO3401 PDF中文资料下载,AO3401引脚图,AO3401国产替代,厂家直销 AO3401 P沟道场效应晶体管 -30V,-4A,SOT23(或不同封装) AO3401(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)...
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[行业资讯]AO3400场效应管参数,AO3400规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-05 11:06 ]
AO3400场效应管参数,AO3400规格书中文资料,参数代换 AO3400 PDF中文资料下载,AO3400引脚图,AO3400国产替代,厂家直销 AO3400 N沟道场效应晶体管 30V,5.8A,SOT23(或不同封装) AO3400(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
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[行业资讯]2SK3018场效应管参数,2SK3018规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-04 15:47 ]
2SK3018场效应管参数,2SK3018规格书中文资料,参数代换 2SK3018 PDF中文资料下载,2SK3018引脚图,2SK3018国产替代,厂家直销 2SK3018 N沟道场效应晶体管 30V,100mA,SOT23(或不同封装) 2SK3018(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
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[行业资讯]2N7002场效应管参数,2N7002规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-04 14:15 ]
2N7002场效应管参数,2N7002规格书中文资料,参数代换 2N7002 PDF中文资料下载,2N7002引脚图,2N7002国产替代,厂家直销 2N7002 N沟道增强型场效应晶体管 60V,0.115A,7.5Ω,SOT23(或不同封装) 2N7002(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
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[行业资讯]si2302,si2302场效应管参数,引脚图,si2302规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 11:56 ]
si2302,si2302场效应管参数,引脚图,si2302规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:si2302描述:MOSFET,N-CH,20V,3A,SOT-23详细描述:表面贴装型,N通道,20V,3A(Ta)1.25W(Ta),SOT-23制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:si2302规格书si2302引脚图si2302电路符号si2302产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Mi
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[行业资讯]si2301,si2301场效应管参数,引脚图,si2301规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 10:46 ]
si2301,si2301场效应管参数,引脚图,si2301规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:si2301描述:MOSFET,P-CH,20V,2.8A,SOT-23详细描述:表面贴装型,P通道,20V,2.8A(Ta),1.25W(Ta),SOT-23制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:si2301规格书si2301引脚图si2301电路符号si2301产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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[行业资讯]si2300,si2300场效应管参数,引脚图,si2300规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 10:33 ]
si2300,si2300场效应管参数,引脚图,si2300规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:si2300描述:MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23详细描述:表面贴装型,N通道,20V,4.5A(Tj)1W,SOT-23制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:si2300规格书si2300引脚图si2300电路符号si2300产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Micro
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[行业资讯]TPS2378DDAR中文资料PDF与引脚图及封装 - 壹芯微[ 2022-02-11 15:02 ]
TPS2378DDAR中文资料PDF与引脚图及封装 - 壹芯微描述该8引脚集成电路包含实现IEEE802.3at2型受电设备(PD)所需的所有功能。0.5Ω的低内部开关电阻与PowerPAD™封装的增强散热相结合,使该控制器能够持续处理高达0.85A的电流。TPS2378DDAR具有辅助电源检测(APD)输入,可为外部电源提供优先级适配器。它还具有100-V传输晶体管、140-mA浪涌电流限制、2型指示、自动重试故障保护和开漏电源良好输出。产品概述制造商德州仪器制造商产品编号TPS2378DDAR供应商
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[行业资讯]AO3415,AO3415场效应管参数,引脚图,AO3415规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-11 14:00 ]
AO3415,AO3415场效应管参数,引脚图,AO3415规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:AO3415描述:MOSFET,P-CH,20V,4A,SOT23-3L详细描述:表面贴装型,P通道,20V,4A(Ta),1.5W(Ta),SOT-23-3制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:AO3415规格书产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Alpha & Omega Semic
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[行业资讯]AO3402,AO3402场效应管参数,引脚图,AO3402规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-11 13:53 ]
AO3402,AO3402场效应管参数,引脚图,AO3402规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:AO3402描述:MOSFET,N-CH,30V,4A,SOT23-3L详细描述:表面贴装型,N通道,30V,4A(Ta),1.4W(Ta),SOT-23-3制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:AO3402规格书产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Shenzhen Yixinwei Techn
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[行业资讯]AO3401,AO3401场效应管参数,引脚图,AO3401规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-11 13:41 ]
AO3401,AO3401场效应管参数,引脚图,AO3401规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:AO3401描述:MOSFET,P-CH,30V,4A,SOT23-3详细描述:表面贴装型P通道,30V,4A(Ta),1.4W(Ta),SOT-23-3制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:AO3401规格书产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Shenzhen Yixinwei Technol
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[常见问题解答]有源晶振的EMC设计介绍 - 壹芯微[ 2022-01-24 11:26 ]
有源晶振的EMC设计介绍 - 壹芯微有源晶振是晶振中的一类,有4只引脚,是一个完整的振荡器,里面除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使有源晶振用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。下面将介绍其的引脚接法以及EMC设计:1.引脚接法有源晶振一般有4个脚,有个点标记的为1脚,按逆时针(管脚向下)分别为2、3、4。通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,
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[常见问题解答]有源晶振和无源晶振的区别介绍[ 2022-01-22 11:17 ]
有源晶振和无源晶振的区别介绍在晶体行业,我们称晶体为无源晶体,晶体振荡器我们叫有源晶体振荡器,无源晶体我们通常叫石英晶体谐振器,有源晶体振荡器我们叫石英晶体振荡器,这两种产品应用于电信设备和卫星等电子产品。设备产品,作为参考信号和卫星。更稳定的时间或频率控制。近年来,晶振终端技术在时钟模块、卫星通信、图像处理、基站导航,尤其是时钟模块行业的应用发展迅速。图1有源晶振和无源晶振1.什么是有源晶振有源晶振(scillator)有4个引脚,是一个完整的振荡器,其中除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件,因此体积较大,只需要
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[常见问题解答]随机存储器的特点与结构介绍[ 2022-01-20 15:21 ]
随机存储器的特点与结构介绍早期的计算机使用继电器、机械计数器或延迟线来实现主存储器功能。超声波延迟线是串行设备,只能按写入顺序复制数据。鼓内存可以以相对较低的成本扩展,但有效检索内存项需要了解鼓的物理布局以优化速度。锁存器由真空管三极管构成,后来由分立晶体管构成,用于更小和更快的存储器,例如寄存器。此类寄存器相对较大且成本过高,无法用于处理大量数据;通常只能提供几十或几百位这样的存储器。随机存取存储器的第一种实用形式是1947年开始使用的威廉姆斯管。它将数据存储为阴极射线管表面的带电点。由于CRT的电子束可以任意顺
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[常见问题解答]场效应晶体管应该如何选择?[ 2022-01-06 11:08 ]
场效应晶体管应该如何选择?随着电子设备的不断更新,其的性能要求也越来越高,在某些电子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路,还是携带式电子设备的电路,都使用了场效应晶体管。场效应晶体管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,可应用于放大、可变电阻等作用,因此正确选择选场效应晶体管是一件非常重要的事情。那么如何选择?下面一起来看卡:1.沟道类型挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中,当一个场效应晶体管接地,而负载接入到干线电压上时,该场
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[常见问题解答]晶体管工作状态的判断介绍[ 2022-01-06 11:06 ]
晶体管工作状态的判断介绍晶体管是模拟电路中基础的器件,是规范操作电脑,手机,和所有其它现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。晶体管有放大、饱和、截止三种工作状态,那么在放大电路中如何判断它处于何种工作状态?下面一起来看看:1.工作条件1.1集电极电源Ec(或Vcc)Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置,使管子工作在放大状态,弱信号变为强信号。能
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[常见问题解答]电力晶体管的工作原理与结构介绍[ 2022-01-06 11:05 ]
电力晶体管的工作原理与结构介绍电力晶体管(英文:Giant Transistor,简称GTR)是是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;具有自关断能力,并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。下面将介绍其的结构外形、原理以及特点:1.结构电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT(Bipolar Junction Transistor),GTR和BJT这两个名称是等效的,结
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[常见问题解答]电力晶体管的驱动与保护介绍[ 2022-01-06 11:02 ]
电力晶体管的驱动与保护介绍由于电力晶体管既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性,又增大了功率容量;因此由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短,在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏,所以为了解决这些问题,电力晶体管设置了驱动电路与保护电路,它们有什么功能?下面一起来看看:1.驱动电路驱动电路性能不好,轻则使电力晶体管不能正常工作,重则导致电力晶体管损坏。其特性是决定电流上升率和动态饱和压降大小的重要因
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[常见问题解答]单结晶体管的原理和特性介绍[ 2022-01-06 10:58 ]
单结晶体管的原理和特性介绍单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,是一种常用的半导体器件,它虽有三个管脚,很像半导体三极管,但它只有一个pN结,即一个发射极和两个基极,所以又称它为双基极二极管;它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2,在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。下面来看看其的原理和特性吧:1.结构单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路以及引脚排列,如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引脚b1、b2分别为第一基极和第二基极(双基极),e为发射极。e极
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[常见问题解答]雪崩二极管的工作原理介绍[ 2022-01-05 11:06 ]
雪崩二极管的工作原理介绍雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离,和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件;在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。雪崩二极管常被应用于微波领域的振荡电路中,那么其的工作原理是如何的?下面一起来看看:1.工作原理在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样,通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下获得的能量增大,在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞,当电子和空穴的能量足够大时,通过这样的碰撞的可使共价键中的电子
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