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[行业资讯]5N60L-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-16 11:14 ]
5N60L-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微5N60L-TN3-R场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):600V;电流(ID):5A;封装(Pageke):TO-252;大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号漏源电压 VDSS 600栅源电压 VGSS ±30雪崩电流(注 2) IAR 5连续漏极电流 ID 5脉冲漏极电流(注 2)IDM 20雪崩能源单脉冲(注 3)EAS 210重复(注 2) EAR 10峰值二极管恢复
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[行业资讯]FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数[ 2021-09-11 12:10 ]
FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数FDD8444(N沟道增强型场效应晶体管);FDD8444场效应管参数;FDD8444场效应管封装引脚图;FDD8444场效应管中文资料规格书(PDF);  电流(ID):145A,电压(VDSS):40V,封装形式:TO252产品概要典型 rDS(on)=4mΩ at VGS=10V, ID=50A典型值Qg(10)=89nC,VGS=10V低米勒电荷低Qrr体二极管UIS能力(单脉冲/重复脉冲)符合AECQ101符合RoH
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[行业资讯]FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微[ 2021-09-09 11:24 ]
FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微FDD8444_F085(N沟道增强型场效应晶体管);FDD8444_F085场效应管参数;FDD8444_F085场效应管封装引脚图;FDD8444_F085场效应管中文资料规格书(PDF);电流(ID):145A,电压(VDSS):40V,封装形式:TO252产品概要典型RDS(on)=4mW,VGS=10V,ID=50ATyp Qg(10)=89nC,VGS=10V,ID=50A低米勒电荷低Qrr体二极管UIS能力(单脉冲/
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[常见问题解答]MOS场效应管更多的是作为电控开关[ 2021-08-28 10:21 ]
MOS场效应管更多的是作为电控开关场效应管在mpn中,它的长相和我们常面讲的三极管非常像,所以有不少修朋友好长时间还分不清楚,统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”,如果这样麻木不分的话,你的维修技术恐怕很难快速提高的哦!言归正传,说到场效应管的长相恐怕我就不用贴图了,在电路图中它常用表示,关于它的构造原理由于比较抽象,我们是通俗化讲它的使用,所以不去多讲,由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多,特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一
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[常见问题解答]常见(MOS)场效应管与晶体管的不同点解析[ 2021-08-28 10:03 ]
常见(MOS)场效应管与晶体管的不同点解析晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快,
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[常见问题解答]常见电子元器件之电阻电容二三极管的识别检测方法[ 2021-08-20 14:35 ]
随着电子技术及其应用领域的迅速发展,所用的元器件种类日益增多,学习和掌握常用元器件的性能、用途、质量判别方法,对提高电气设备的装配质量及可靠性将起重要的保证作用。电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管、集成电路等都是电子电路常用的器件。下文为大家提供电子元器件的识别与检测基础常识,仅供阅读~
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[常见问题解答]总结MOS管防止电源反接电路的方法[ 2021-08-20 10:07 ]
电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的。所以就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的。一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减。??MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计。
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[常见问题解答]发光二极管参数特性_现货供应_生产厂家[ 2021-08-19 14:56 ]
发光二极管特性1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管
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[常见问题解答]快恢复二极管型号参数大全(图表)_现货供应_生产厂家[ 2021-08-19 14:45 ]
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
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[常见问题解答]限流二极管的电路设计技术扩展[ 2021-08-19 14:04 ]
限流二极管(CLD)或称电流调节二极管(CRD),比基于晶体管的传统电流源更为简单,因此有着明显的优势。然而,限流二极管的应用也有明显的局限性。原因之一是目前的限流二极管产品提供的最大电流仅15mA,而功率最大仅为1瓦。
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[常见问题解答]TVS二极管(瞬态电压抑制)选型知识参数解读_现货供应_生产厂家[ 2021-08-19 10:32 ]
TVS管,瞬态电压抑制或瞬变电压抑制,英文全称(TransientVoltageSuppressor),是一种二极管形式的高效能保护元器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。 下面介绍选型时需要注意的一些参数:
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[常见问题解答]TVS瞬态电压抑制二极管相关参数及选型应用[ 2021-08-19 09:55 ]
TVS瞬态电压抑制二极管是用在快速抑制浪涌过电压的一种保护元器件,也称作TVP或ABD。TVS以皮秒级响应速度将浪涌过电压限制箝位到一个安全的电压范围内,以保护后面电路不受损坏。
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[常见问题解答]稳压二极管作用以及相关介绍_现货供应_生产厂家[ 2021-08-18 18:13 ]
二极管有很多种类,有整流二极管,快恢复二极管,发光二极管、稳压二极管、贴片二极管、变容二极管等等,今天我们来讲一讲什么是稳压二极管,以及稳压二极管的作用。
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[常见问题解答]电路设计中二极管类型与型号的选择[ 2021-08-18 17:59 ]
在选择二极管时需要考虑的参数:频率,正向压降,正向电流和反向耐压。二极管的种类也很多,常用类型有整流二极管,稳压二极管,检波二极管等等。具体选用什么类型二极管一定是根据电路需要进行选择,比如对一个电源电路中的整流二极管而言,就要根据整流电流的大小和整流电压的高低来选二极管
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[常见问题解答]关于TVS二极管选型方法技巧_选型关键参数_现货供应生产厂家[ 2021-08-18 14:47 ]
TVS二极管如何选型?在TVS管的选型过程中,很多供应商、厂家往往都是直接告诉需求方选择哪个型号的器件,很少科普选型的技巧和提供选型过程中的理论计算。为此,造成了很多电子工程师在选型TVS二极管器件时,老手凭经验,新手凭参考。一旦更换了供应商、厂家或测试条件,就无从下手。为此,专业高品质二三极管功率器件厂商壹芯微科技,为了解决这个问题,科普:TVS二极管选型,让老手新手都得心应手。
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[常见问题解答]TVS二极管选型帮助_参数特性应用详解_注意事项[ 2021-08-17 16:46 ]
TVS二极管选型帮助_参数特性应用详解_注意事项一、TVS二极管工作原理TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管,即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管,是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分,单向TVS二极管一般应用于直流供电电路,双向TVS二极管应用于电压交变的 电路。
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[常见问题解答]整流二极管选型推荐与常用型号__二极管选型品牌生产厂家[ 2021-08-17 16:13 ]
整流二极管选型推荐与常用型号__二极管选型品牌生产厂家整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
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[常见问题解答]二极管选型关键要素详解_二极管生产厂家_现货供应商[ 2021-08-17 15:59 ]
1、正向导通压降压降:二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。导通压降:二极管开始导通时对应的电压。正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。
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[常见问题解答]mos管检测好坏的方法_选型帮助_替换原则 - 壹芯微[ 2021-08-17 14:45 ]
mos管检测好坏的方法_选型帮助与替换原则 - 壹芯微mos管的检测与更换在修理电视机及电器设备时,会遇到各种元器件的损坏,MOS管也在其中,这就是我们的维修人员如何利用常用的万用表来判断MOS管的好坏、优劣。在更换MOS管时如果没有相同厂家及相同型号,如何代换的问题。一、MOS管的检测一般电器电视机相关维修人员在测量晶体二极管或三极管的时候,经常会使用普通的万用表来判断二三极管的好坏,虽然对所判断的三极管或二极管的电气参数没法确认,但是只要方法正确对于确认晶体三极管的“好”与“
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[常见问题解答]MOS管寄生电容形成的原因 - 壹芯微[ 2021-08-16 10:54 ]
MOS管寄生电容形成的原因 - 壹芯微MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?是如何形成的?功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型寄生电容形成的原因1. 势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半
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