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场效应MOS管ZXMP10A18K参数

PD最大耗散功率:4.3WID最大漏源电流:-5.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.8AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    ZXMP10A18K是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:ZXMP10A18K在开关电源和DC-DC转换器中扮演着重要角色。它的低导通电阻和高效率使其成为电源管理电路的理想选择,能够有效减少功耗,提高系统的整体效率。

    2. 电动机驱动:在电动机控制和驱动电路中,ZXMP10A18K因其优异的开关性能和高电流承载能力而被广泛应用。它能够有效控制电动机的启动、停止和速度调节。

    3. 消费电子:ZXMP10A18K常见于智能手机、平板电脑等消费电子产品中,主要用于电池管理、电压调节和信号切换等功能。其小尺寸和高效性能使其在紧凑空间内发挥重要作用。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,ZXMP10A18K用于控制车灯、空调、电动窗和其他车载电子设备。其耐高温和高可靠性确保在苛刻的汽车环境下稳定运行。

    5. 工业控制:ZXMP10A18K也广泛应用于工业自动化和控制系统中,用于驱动继电器、控制阀门和其他工业设备。其高耐压和高电流特性使其适用于各种工业场合。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):在Vgs = 4.5V时,典型值为10mΩ,这意味着该器件在导通状态下具有极低的电阻,有助于降低功耗和热量生成。

    - 最大漏源电压(Vds):ZXMP10A18K的最大漏源电压为100V,使其能够在较高电压应用中安全运行,适用于各种电源和工业应用。

    - 漏极电流(Id):其连续漏极电流为18A,能够承载较大的电流,适合高功率应用,例如电动机驱动和电源管理。

    - 栅极电荷(Qg):典型值为29nC,较低的栅极电荷确保了快速的开关速度,提高了电路的开关效率和性能。

    - 热阻(Rth):结到环境的热阻为62°C/W,这表明该器件具有良好的散热性能,能够在高功率条件下保持稳定的工作温度。

    综上所述,ZXMP10A18K的这些特点使其成为在各种应用场景中不可或缺的关键元件,确保了电路的高效性和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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