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场效应MOS管ZXMP10A16K参数

PD最大耗散功率:4.24WID最大漏源电流:-4.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.235ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.1AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    ZXMP10A16K是一种双N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高输入阻抗等优良特性。它广泛应用于各种电子电路中,特别是在电源管理和切换电路中。本文将详细介绍ZXMP10A16K的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理电路:ZXMP10A16K常用于DC-DC转换器、电压调节器和电源开关电路中。其低导通电阻特性使其在高效率电源设计中表现出色,能够减少功率损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动电路:在电机驱动应用中,ZXMP10A16K可用于驱动低压电机,如风扇和小型电动机。其高输入阻抗和快速开关特性确保了电机驱动的稳定性和响应速度。

    3. 负载开关:ZXMP10A16K也适用于作为负载开关,用于控制各类电子设备的电源开关操作。其低开启电压使其能够在低压条件下可靠工作,适合便携式设备的应用。

    4. 保护电路:在电路保护应用中,ZXMP10A16K可以用作过流保护和短路保护元件,保护敏感电子器件免受电流冲击的损害。

    5. 信号放大电路:在模拟信号处理领域,ZXMP10A16K可以用作信号放大器,尤其适用于需要快速响应和高输入阻抗的应用,如传感器接口和信号处理模块。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):ZXMP10A16K的典型导通电阻非常低,仅为几毫欧,这意味着在导通状态下,该MOSFET的功率损耗较小,能够有效提升电路的整体效率。

    - 漏源电压(VDS):ZXMP10A16K的最大漏源电压为100V,这使其能够在较高电压条件下工作,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 漏源电流(ID):其最大持续漏源电流为10A,这表明ZXMP10A16K能够处理较大电流负载,适用于高功率电路设计。

    - 栅极电荷(Qg):ZXMP10A16K具有较低的栅极电荷,这使得其在高频开关应用中具有优异的性能,能够实现快速开关速度和低开关损耗。

    - 热阻(RθJA):其结到环境的热阻较低,约为62.5°C/W,这有助于在高功率应用中有效散热,保持元件的稳定运行。

    综上所述,ZXMP10A16K因其低导通电阻、高输入阻抗和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路和信号放大等多个领域。其出色的参数性能使其成为各种电子设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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