PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:1.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:TK9A90E广泛应用于开关电源和DC-DC转换器中,能够高效地管理和转换电能,提升系统的整体效率。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,提高电源转换的效率和可靠性。
2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,TK9A90E用于调节和控制电机的运行状态。它的高耐压和快速开关速度,使其能够在高频率下稳定工作,确保电机运行的平稳和高效。
3. 照明系统:在LED照明和其他高效照明系统中,TK9A90E作为驱动器的重要组成部分,提供稳定的电流输出,保证照明设备的长寿命和高效能。
4. 消费电子:TK9A90E在各类消费电子产品中也有广泛应用,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等。这些设备需要高效的电源管理解决方案,而TK9A90E的低功耗特性非常适合这些便携式设备。
5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,TK9A90E用于各种控制模块和电源单元,其高可靠性和高效能使其成为工业控制领域的首选元件之一。
二、参数特点:
- 导通电阻:TK9A90E的导通电阻非常低,仅为0.045欧姆。这意味着在导通状态下,电流通过晶体管时产生的能量损耗非常小,有助于提高电路的整体效率。
- 耐压能力:TK9A90E具有高达900伏的漏源极耐压能力,使其能够在高压环境下稳定工作。这一特性使其在高压电源和工业控制系统中具有显著的应用优势。
- 电流承载能力:TK9A90E的连续漏极电流为10安培,瞬时脉冲电流则高达40安培。这使得TK9A90E能够在高电流应用中表现出色,满足各种大功率设备的需求。
- 开关速度:TK9A90E的开关速度非常快,典型的开关时间仅为几十纳秒。快速的开关速度有助于提高电路的响应速度和工作效率,特别是在高频开关电源和数字电路中表现优异。
- 热性能:TK9A90E具备良好的热性能,其结温范围为-55°C至150°C,能够在宽温度范围内稳定工作。同时,低热阻设计有助于迅速散热,保持器件的稳定运行。
综上所述,TK9A90E作为一款高性能的MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压、高电流承载能力、快速开关速度和优异的热性能,广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统、消费电子和工业控制等领域。这些特点使得TK9A90E在各种应用场景中都能发挥出色的性能,为电子系统的高效稳定运行提供有力支持。
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