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场效应MOS管TK28A65W参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:27.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:13.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:1600μA

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    TK28A65W是一款具备优秀性能的功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。以下是TK28A65W的应用场景和参数特点的详细说明。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK28A65W常用于各种电源管理系统中,包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。其高效的功率转换能力和低导通电阻使其在这些系统中表现出色,提高了整体系统的能效和可靠性。

    2. 电动汽车:在电动汽车(EV)领域,TK28A65W被广泛应用于电机驱动器和电池管理系统(BMS)中。其高电流处理能力和耐高压特性使其能够在高要求的电动汽车应用中提供稳定和高效的性能,确保车辆的平稳运行和安全。

    3. 太阳能逆变器:TK28A65W也是太阳能逆变器系统中的重要组成部分。其高效的电能转换能力帮助提高太阳能系统的整体效率,使太阳能板产生的直流电更有效地转换为交流电,满足家庭和商业电力需求。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,TK28A65W被用于驱动各种电动机和执行机构。其高耐久性和低损耗特性,使其在长时间运行和高负载环境下依然能保持稳定性能,提升了设备的运行效率和使用寿命。

    5. 消费电子:TK28A65W在消费电子产品中,如智能手机、笔记本电脑和游戏设备中,也有广泛应用。其高效率和紧凑的封装尺寸,帮助这些设备在小型化和高性能之间取得良好平衡,满足现代电子产品的需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK28A65W具有极低的导通电阻(RDS(on)),这使得它在工作时能够显著减少功率损耗,提高整体能效。例如,TK28A65W的典型导通电阻在25°C下仅为0.13Ω,这对于减少热损耗和提升效率至关重要。

    - 高耐压能力:TK28A65W具有高达650V的漏源击穿电压(V(BR)DSS),这使得它能够在高压应用中提供可靠的性能。无论是在工业控制还是电源转换中,这种高耐压特性都能确保设备的安全和稳定运行。

    - 大电流处理能力:TK28A65W能够处理高达28A的连续漏极电流(ID),适用于需要处理大电流的应用场景。这一特性使其在电动汽车、电源管理系统等领域表现尤为突出。

    - 快速开关速度:TK28A65W的开关速度非常快,其典型开关时间仅为几十纳秒级别。这种快速开关能力使其在高频应用中能有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。

    - 封装和热性能:TK28A65W采用TO-220封装,这种封装形式不仅有助于散热,而且便于安装和使用。其热阻(RθJC)典型值仅为1.5°C/W,确保在高功率条件下仍能有效散热,避免因过热导致的性能下降或故障。

    综上所述,TK28A65W凭借其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关速度以及优良的热性能,成为电源管理、电动汽车、太阳能逆变器、工业自动化和消费电子等多个领域的理想选择。这些特点使得TK28A65W在各种高要求应用中都能提供出色的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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