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场效应MOS管STP85NF55参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP85NF55是一款具有出色性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP85NF55在电源管理系统中发挥关键作用,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其高效率和低导通电阻使其成为降低能量损耗和提高系统效率的理想选择。

    2. 电机驱动:STP85NF55经常用于电机控制和驱动电路中。由于其快速开关能力和强大的电流处理能力,它能够有效地控制电机的启动和运行,从而提高整体性能和可靠性。

    3. 逆变器:在太阳能光伏系统和不间断电源(UPS)系统中,STP85NF55被用于逆变器电路中,以实现直流电向交流电的高效转换。其高压耐受和低开关损耗特点,使其成为逆变器应用中的理想器件。

    4. 汽车电子:STP85NF55在汽车电子领域也有广泛应用,特别是在电池管理系统(BMS)、电动助力转向(EPS)和车载充电器等应用中。其高可靠性和耐用性,使其适合于恶劣的汽车环境。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STP85NF55被用于驱动和控制各种工业设备,如机器人、传感器和执行器等。其高效率和稳定性,确保了工业系统的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP85NF55的导通电阻仅为8毫欧(最大值),这意味着在高电流应用中能量损耗极低,从而提高整体系统的效率。

    - 高电流处理能力:该MOSFET能够处理高达85安培的连续漏极电流,适用于需要高电流传输的应用场景,如电源管理和电机控制。

    - 高击穿电压:STP85NF55的漏源击穿电压为55伏特,这使其能够在高电压环境中可靠运行,适用于如逆变器和电源转换器等需要高压操作的应用。

    - 快速开关速度:STP85NF55的开关时间非常快,具有低的栅极电荷和输入电容,从而实现高频率操作。其典型的栅极电荷为110纳库仑,输入电容为3200皮法拉,使其在高频开关应用中表现出色。

    - 热性能优越:STP85NF55设计中考虑了高效的热管理,其热阻低,能够有效散热,保证在高功率应用中的可靠性和稳定性。其结到外壳的热阻为0.1摄氏度/瓦特,使其在高功率操作时仍能保持低温度。

    综上所述,STP85NF55是一款性能优越、应用广泛的功率MOSFET,适用于多种电子和电力系统中的关键应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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