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场效应MOS管STD3NK50Z-1参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:3.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD3NK50Z-1是一款在各种电子设备中广泛使用的N沟道功率MOSFET。由于其卓越的性能特点,它在多个领域表现出色。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD3NK50Z-1常用于开关电源和DC-DC转换器中,能够高效地控制电流和电压,从而提高系统的整体效率。其低导通电阻和快速开关速度使其在高频率应用中具有显著优势。

    2. 电动工具:在电动工具中,STD3NK50Z-1用于电机驱动控制。这种MOSFET能够处理高电流,并在高温环境下保持稳定的性能,确保工具的高效运作和长寿命。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,STD3NK50Z-1用于电池管理系统、车灯控制以及电子控制单元(ECU)。它能够承受汽车应用中的高电压和高温,确保电子系统的可靠性。

    4. 消费电子:例如,STD3NK50Z-1常见于电视、电脑、智能家居设备等消费电子产品中。这些设备需要可靠的电源管理解决方案,而这种MOSFET能够提供高效、稳定的电源转换。

    5. 工业自动化:在工业自动化中,STD3NK50Z-1用于控制各种工业设备和机械的电源和电机。这种应用场景需要高耐久性和高效能,而这款MOSFET能够满足这些要求。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):STD3NK50Z-1的最大漏源电压为100V,这意味着它可以在相对高电压的环境下工作,适用于各种需要高电压控制的应用。

    - 最大漏极电流(Id):这种MOSFET的最大漏极电流为2.5A,能够处理中等功率水平的电流,这对于大多数常见的电子应用是足够的。

    - 导通电阻(Rds(on):STD3NK50Z-1的导通电阻低至0.1Ω,低导通电阻意味着它在工作时的功耗较低,能效较高,尤其适用于电源管理和电机控制等需要高效率的应用。

    - 栅极电荷(Qg):这款MOSFET的总栅极电荷为10nC,这表明它能够快速开关,适合高频率应用,从而在高效能需求的应用中表现出色。

    - 热特性:STD3NK50Z-1具有良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定运行。这对于需要在严苛环境下工作的电子设备至关重要。

    综上所述,STD3NK50Z-1是一款性能优异、适用范围广泛的N沟道功率MOSFET,能够在多种电子设备和系统中发挥关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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