极性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)电流:300mABVCBO(V)集电极-基极电压:300VBVCEO(V)集电极-发射极电压:300VBVEBO(V)发射极-基极电压:5VhFE(min)最小放大倍数:100hFE(max)最大放大倍数:200hFEVce(v)集电极与发射极电压:10VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:0.2VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:20mAlB(mA)基极电流:2mAFt(MHZ)频率:50MHZ
立即咨询一、应用场景
1.开关控制:MMBTA42具有高击穿电压和快速开关速度,可在需要低功耗的电路中实现稳定的开关控制。这些通常用于需要在高电压下工作的低功率电路,以确保电路在比常规小信号晶体管更高的工作电压下工作并且仍然可靠。
2.信号放大:MMBTA42适用于小信号放大电路,其放大特性对于放大微弱信号非常有利。频率信号通常用于音频信号放大和其他需要高电压的放大应用。例如:无线电接收器、射频放大器等。
3.电源控制电路:MMBTA42耐压较高,用于高压控制电路和稳压电路,适用于能保证较高电压隔离和一定供电能力的场合。其稳定性可以得到保证,起到稳压和保护电源控制电路的作用,防止电压异常波动影响其他重要器件的稳定性。
4.过压保护:MMBTA42用于一些过压保护电路中,防止电压浪涌对电路造成损坏。其耐压能力高,允许电流流过保护电路,实现过压时的有效保护。
二、参数特点
- 高耐压:MMBTA42的集电极-发射极耐压为300V(最大),在小信号晶体管中属于高耐压,即使在高电压环境下也能稳定工作。适用于需要更高耐压的应用。
- 集电极-发射极饱和电压低:晶体管饱和电压通常较低。MMBTA42确保在低电流下有效运行,使其成为低功耗应用的理想选择。低饱和电压提高了电路效率并降低了功耗,满足低功耗设计要求。
- 电流放大特性:MMBTA42的直流电流放大范围(hFE)为40至400,特别适合低频信号放大应用,同时具有优异的信号放大能力,保证不同工作电流下的稳定性以及不同信号放大要求下的可靠运行。
- 小型封装设计:MMBTA42采用SOT-23封装,在尺寸和功率密度之间提供了良好的平衡。小型封装不仅节省了PCB空间,而且在设计高密度电路时保证了高性能。这种外壳尺寸有利于小型设备和空间受限的电子产品的设计。这款晶体管的最大功耗为625mW,使其适合需要低功耗的应用,延长设备的寿命。
总的来说,MMBTA42晶体管因其高性能、耐高压、封装小等特点,广泛应用于高压电路、信号放大、保护电路、功率调节电路等。MMBTA42的高击穿电压、稳定的电流增益和低功耗设计使其成为需要高电压隔离、小封装尺寸和高效率的电路设计的理想性能组件。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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