极性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)电流:300mABVCBO(V)集电极-基极电压:300VBVCEO(V)集电极-发射极电压:300VBVEBO(V)发射极-基极电压:5VhFE(min)最小放大倍数:100hFE(max)最大放大倍数:200hFEVce(v)集电极与发射极电压:10VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:0.2VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:20mAlB(mA)基极电流:2mAFt(MHZ)频率:50MHZ
立即咨询一、应用场景
1.信号放大电路:MMBTA42广泛应用于小信号放大器,特别是需要高电压放大但功耗低的电路中。最大集电极-发射极电压达到300V,因此可用于高压信号放大环境。此外,紧凑的外壳使其适合安装在空间有限的PCB上,也适合需要高耐受电压的多层PCB设计中的开关应用。
2.电压开关:MMBTA42的集电极-发射极击穿电压Vceo使其适合用于高电压、低功耗电路,用于继电器和保护电路的电压开关。
3.通用电流驱动器:还可作为通用电流驱动器,驱动LED、蜂鸣器等小型负载。最大集电极电流为500mA,尤其在直流电源应用中提供稳定的驱动。更快的响应速度还可以更好地适应驱动当前的要求。
4.电源调节电路:虽然MMBTA42的功耗有限,但它也可用于一些低功耗电源调节或电压稳定的应用,如稳压电源电路的电压控制部分。
5.低功率:由于饱和压降相对较低,因此即使在低功率条件下也可以进行有效的电流控制,从而减少功率损耗。
二、参数特点
- 高集电极-发射极击穿电压:MMBTA42的最大集电极-发射极击穿电压Vceo为300V,因此在电路中表现出优异的性能。需要处理高电压,不仅提高了其在高压应用中的适用性,而且大大提高了电路的抗干扰能力,避免了因电压突变而损坏的风险。
- 中等电流容量:最大集电极电流Ic为500mA,足以满足低电流和小负载应用。驱动LED等小负载时,可实现稳定的电流输出,电流容量为500mA。晶体管发热在可控范围内,适合长期使用。
- 低饱和压降:在MMBTA42集电极/发射极的饱和电压可以降低功耗,特别是在电流驱动应用中,有效减少低功率电路中的热损失。这种低饱和电压特性在调光和电流控制电路中非常重要,因为它可以确保在低压工作环境下精确控制电流并提高电路效率。
- 信号增益特性:该晶体管的直流电流增益值hFE通常在100至400之间,具有高增益特性,适合信号放大场合。高增益意味着它可以在小输入信号下运行。
- 热稳定性:MMBTA42在温度波动较大的环境中表现出优异的热稳定性。高电压强度和适中的电流容量即使在高温条件下也能稳定运行。小封装还提高了散热性,使其适合在高密度电子电路中长期运行。
综合起来,MMBTA42的高耐压、适中的载流能力、低饱和压降和高增益特性使其成为NPN晶体管的可靠选择,使其在电气工程和许多其他场合中更为理想。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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