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三极管MMBTA42参数

极性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)电流:300mABVCBO(V)集电极-基极电压:300VBVCEO(V)集电极-发射极电压:300VBVEBO(V)发射极-基极电压:5VhFE(min)最小放大倍数:100hFE(max)最大放大倍数:200hFEVce(v)集电极与发射极电压:10VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:0.2VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:20mAlB(mA)基极电流:2mAFt(MHZ)频率:50MHZ

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    MMBTA42是一种小信号NPN晶体管,广泛应用于各种电子电路中。高集电极-发射极耐压和适中的电流容量使其适合低功率放大和高压开关等应用。

    一、应用场景

    1.信号放大电路:MMBTA42广泛应用于小信号放大器,特别是需要高电压放大但功耗低的电路中。最大集电极-发射极电压达到300V,因此可用于高压信号放大环境。此外,紧凑的外壳使其适合安装在空间有限的PCB上,也适合需要高耐受电压的多层PCB设计中的开关应用。

    2.电压开关:MMBTA42的集电极-发射极击穿电压Vceo使其适合用于高电压、低功耗电路,用于继电器和保护电路的电压开关。

    3.通用电流驱动器:还可作为通用电流驱动器,驱动LED、蜂鸣器等小型负载。最大集电极电流为500mA,尤其在直流电源应用中提供稳定的驱动。更快的响应速度还可以更好地适应驱动当前的要求。

    4.电源调节电路:虽然MMBTA42的功耗有限,但它也可用于一些低功耗电源调节或电压稳定的应用,如稳压电源电路的电压控制部分。

    5.低功率:由于饱和压降相对较低,因此即使在低功率条件下也可以进行有效的电流控制,从而减少功率损耗。

    二、参数特点

    - 高集电极-发射极击穿电压:MMBTA42的最大集电极-发射极击穿电压Vceo为300V,因此在电路中表现出优异的性能。需要处理高电压,不仅提高了其在高压应用中的适用性,而且大大提高了电路的抗干扰能力,避免了因电压突变而损坏的风险。

    - 中等电流容量:最大集电极电流Ic为500mA,足以满足低电流和小负载应用。驱动LED等小负载时,可实现稳定的电流输出,电流容量为500mA。晶体管发热在可控范围内,适合长期使用。

    - 低饱和压降:MMBTA42集电极/发射极的饱和电压可以降低功耗,特别是在电流驱动应用中,有效减少低功率电路中的热损失。这种低饱和电压特性在调光和电流控制电路中非常重要,因为它可以确保在低压工作环境下精确控制电流并提高电路效率。

    - 信号增益特性:该晶体管的直流电流增益值hFE通常在100至400之间,具有高增益特性,适合信号放大场合。高增益意味着它可以在小输入信号下运行。

    - 热稳定性:MMBTA42在温度波动较大的环境中表现出优异的热稳定性。高电压强度和适中的电流容量即使在高温条件下也能稳定运行。小封装还提高了散热性,使其适合在高密度电子电路中长期运行。

    综合起来,MMBTA42的高耐压、适中的载流能力、低饱和压降和高增益特性使其成为NPN晶体管的可靠选择,使其在电气工程和许多其他场合中更为理想。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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