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三极管MMBT5551参数

极性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)电流:600mABVCBO(V)集电极-基极电压:180VBVCEO(V)集电极-发射极电压:160VBVEBO(V)发射极-基极电压:6VhFE(min)最小放大倍数:100hFE(max)最大放大倍数:300hFEVce(v)集电极与发射极电压:5VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:0.5VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:50mAlB(mA)基极电流:5mAFt(MHZ)频率:80MHZ

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    MMBT5551是一款NPN小信号晶体管,广泛应用于低功耗、高电压应用场景。其主要特点是集电极-发射极电压高、集电极电流低,可用于一些特殊电路。

    一、应用场景

    1.信号放大电路:MMBT5551广泛应用于音频信号、高频信号等放大电路。高电压特性由于它们即使在相对较高的电压环境下也能稳定工作,因此常用于一些需要较高电压的放大器电路中。

    2.高速开关电路:该三极管具有开关速度快、功耗低的特点,适合高速开关。例如,在需要频繁开关的小功率电子设备或逻辑控制电路中,MMBT5551可以保证开关响应速度和电路稳定性。

    3.电源管理电路:在一些高电压、低功耗电源管理电路中,MMBT5551可用作电压调节器或保护电路中的关键组件。在较高电压条件下稳定运行,保证供电安全可靠。

    4.保护电路:MMBT5551具有较高的耐压能力,因此在一些保护电路和过压保护电路中用作电源输入端的保护元件。

    二、参数特点

    1.高集电极-发射极电压(Vceo):MMBT5551的最大集电极-发射极电压为160V,适合开关电源等较高电压应用场合。

    2.集电极电流 (Ic) 低:最大集电极电流为600mA。虽然电流不大,但对于小型信号处理电路来说已经足够了。它是低功耗电路,保证电路效率和稳定性。

    3.功耗(Ptot):MMBT5551的最大功耗为625mW。它可以处理一定量的电力负载,适用于多种需要低功耗的场景,例如移动设备和小型电子模块的应用。

    4.快速开关特性:该晶体管具有出色的高频性能和快速的开关时间,使其非常适合高频电路和其他需要更高开关速度的电路应用。

    5.小封装 (SOT-23):MMBT5551采用SOT-23封装,适用于高密度集成电路设计。

    综上所述,MMBT5551由于其高电压而显得尤为重要。由于其功耗低、封装小,广泛应用于信号放大、电路、电源管理等领域。其低电流和高电压特性使其成为许多小信号处理和高压保护电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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