极性:PNPPCN(mw)功率:300mwlc(mA)电流:600mABVCBO(V)集电极-基极电压:160VBVCEO(V)集电极-发射极电压:150VBVEBO(V)发射极-基极电压:5VhFE(min)最小放大倍数:100hFE(max)最大放大倍数:300hFEVce(v)集电极与发射极电压:5VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:0.5VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:50mAlB(mA)基极电流:5mAFt(MHZ)频率:100MHZ
立即咨询一、应用场景
1.电路:高击穿电压和低传导损耗使MMBT5401适用于驱动更高电压的负载,可以用较小的电流控制较大的负载。
2.信号放大:在需要信号放大的场合,MMBT5401可以作为小信号放大器,有效放大小信号电压,保证电路性能的稳定性。
3.高压保护和隔离电路:由于MMBT5401具有较高的耐压能力,适用于需要高压保护的电路中,有效区分高压区和低压控制区,提高电路可靠性。
4.小电机控制:由于MMBT5401功耗较低,适合能耗敏感的应用,如便携式设备和电池供电系统。
5.便携式电子产品或小型控制模块:MMBT5401的SOT-23封装设计适用于紧凑电路设计,尤其是在大尺寸器件中。
二、参数特点
- 集电极-发射极电压:MMBT5401的Vceo为-150V,适合在高压电源电路中操作。
- 集电极电流:MMBT5401的Ic为-600 mA,适合驱动中等负载。
- 功耗:MMBT5401的最大功耗为350 mW,适合小电机控制和能耗敏感应用。
- 直流增益:MMBT5401的hFE范围为40至240,适合不同信号放大情况。
- 封装:MMBT5401采用SOT-23封装,适合紧凑的电路设计。
总的来说,MMBT5401是一款性能稳定、应用广泛的PNP型晶体管小信号器件,适用于高压开关、信号放大和电路保护等应用。其耐高压特性和低功耗使其成为工业控制、家用电器和通信等领域的理想选择。通过合理的设计和使用,MMBT5401可以在各种应用场景中提供可靠的性能和良好的效率。
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