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三极管MMBT5550参数

极性:NPNPCN(mw)功率:225mwlc(mA)电流:600mABVCBO(V)集电极-基极电压:160VBVCEO(V)集电极-发射极电压:140VBVEBO(V)发射极-基极电压:6VhFE(min)最小放大倍数:60hFE(max)最大放大倍数:250hFEVce(v)集电极与发射极电压:5VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:5VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:10mAlB(mA)基极电流:1mAFt(MHZ)频率:MHZ

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    MMBT5550是一款NPN型三极晶体管,常见于各种电子设备中,具有广泛的应用场景和一些特定的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:MMBT5550 在通信设备中用于放大信号和控制电路。例如,在无线基站和路由器中,可以用作射频放大器的关键组成部分。

    2. 数字电路:在数字电路中,MMBT5550 常被用作开关元件,用于控制电路的通断状态,例如在计算机主板和嵌入式系统中。

    3. 电源管理:在电源管理电路中,MMBT5550 可以作为稳压器的关键组成部分,帮助实现稳定的电压输出,例如在电源适配器和充电器中。

    二、参数特点:

    1. 高频特性: MMBT5550 具有优良的高频特性,适用于需要高频放大的电路设计。

    2. 低噪声:在放大电路中,MMBT5550 的低噪声特性可以保证信号的清晰度和准确性。

    3. 小封装:由于其小型的SOT-23封装,MMBT5550 在集成度较高的电路板设计中可以节省空间。

    4. 低功耗:MMBT5550 的低功耗特性使其适用于对能耗有严格要求的电子设备。

    5. 可靠性:作为一款经过广泛验证的晶体管型号,MMBT5550 具有较高的可靠性和稳定性,在各种工作条件下都能表现出良好的性能。

    综上所述,MMBT5550 作为一款常见的NPN型三极晶体管,在放大电路、开关电路和稳压器等方面都有着广泛的应用,并且具有高频特性、低噪声、小封装、低功耗和可靠性等一系列优秀的参数特点。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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