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场效应MOS管FQU3N40TU参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:3.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU3N40TU是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电气设备中,其主要应用场景包括。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQU3N40TU在开关电源中起着关键作用,特别是在高效能转换器和稳压器中。其低导通电阻和高效率能够显著减少功率损耗,提升系统整体性能。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻和电锯中,FQU3N40TU作为开关器件能够提供稳定的电流控制,确保工具的高效运行和长寿命。

    3. 电机驱动:FQU3N40TU在电机控制应用中常被用作逆变器和直流电机驱动器的关键组件,其高耐压特性和快速开关速度使其适用于多种工业和家用电机驱动应用。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,FQU3N40TU能够有效管理电流,提供稳定的亮度控制,同时减少电能消耗,提升照明系统的效率和寿命。

    5. 电池管理系统:在电池管理和充电系统中,FQU3N40TU用于控制充放电过程,保证电池的安全性和高效性,适用于各种便携式电子设备和电动车辆。

    二、参数特点:

    - 耐压值:FQU3N40TU的漏源极耐压(Vds)高达400V,这使其能够在高电压环境下可靠工作,适用于需要高压开关的应用。

    - 导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))低至2.8Ω,这意味着它在导通状态下的功率损耗较低,提高了整体系统的效率。

    - 漏极电流:FQU3N40TU的最大连续漏极电流(Id)为3A,足以满足大多数中小功率设备的需求,确保稳定可靠的电流传输。

    - 开关速度:FQU3N40TU具有快速的开关速度,其典型开关时间为数纳秒级,适合高频应用,有助于减少开关损耗,提高转换效率。

    - 栅极电荷:该型号的总栅极电荷(Qg)为9.7nC,较低的栅极电荷使得FQU3N40TU在开关时所需的驱动功率较小,有助于设计更高效的驱动电路。

    综上所述,FQU3N40TU的这些技术特点使其在广泛的应用场景中能够提供卓越的性能和可靠性,是现代电子系统中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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