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场效应MOS管FQPF4N20L参数

PD最大耗散功率:27WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:1.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF4N20L是一款高效能的N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF4N20L常用于开关电源的主功率开关元件,其高效能和低导通电阻能够有效降低能量损耗,提升电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQPF4N20L表现出色,能提供稳定的电流控制和高功率密度,非常适合用于直流电机和步进电机的驱动电路。

    3. 逆变器:FQPF4N20L在逆变器中起到关键作用,特别是在太阳能发电和不间断电源(UPS)系统中,能够实现高效的直流到交流转换。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,FQPF4N20L用于保护电池,防止过充和过放电,并管理充放电过程中的电流流向。

    5. 电压调节器:FQPF4N20L还适用于各种电压调节器电路,帮助稳压器实现稳定的输出电压,提高系统的整体稳定性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF4N20L具有低导通电阻,典型值仅为1.4Ω,这意味着在开关状态下能提供更低的电压降和更高的能效。

    - 漏源电压(VDS):FQPF4N20L的漏源电压高达200V,使其能够承受高电压工作环境,适用于高压电源和电机控制系统。

    - 额定电流(ID):该器件的连续漏极电流为4A,能够处理较高的电流需求,满足大多数中等功率应用的要求。

    - 栅极电荷(Qg):FQPF4N20L具有较低的栅极电荷(典型值为22nC),这使其在高频开关应用中具有较快的开关速度和更低的开关损耗。

    - 封装形式:FQPF4N20L采用TO-220F封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和散热处理,适合各种工业和消费电子产品。

    综上所述,FQPF4N20L凭借其低导通电阻、高耐压、适中的电流处理能力以及快速开关速度,成为了众多应用中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中,FQPF4N20L都能提供高效、稳定的性能保障。其优异的参数特点和多样的应用场景,使得FQPF4N20L成为电力电子领域中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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