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FQPF33N10场效应MOS管参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:20SGfs(min)VDS漏源电压:40VGfs(min)lo通态电流:9A

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