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场效应MOS管FQP75N06C参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP75N06C是一款常用的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP75N06C在开关电源中作为主要的功率开关元件,能够提供高效的电源开关控制,具有较低的导通电阻和优良的开关特性。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锤等的电源控制电路中,FQP75N06C能够有效控制电动机的功率输出,提高工具的性能和效率。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)和电动汽车的电动驱动系统中,FQP75N06C作为驱动和控制电路的一部分,能够确保电路的稳定性和可靠性。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业机器人的控制电路中,FQP75N06C可以实现高效的电力管理和精确的控制功能。

    二、参数特点:

    1. 导通电阻(R_DS(on)):低导通电阻,通常在几个毫欧姆以下,能够减少功率损耗和热量产生。

    2. 电压额定值(V_DSS):高电压耐受性,通常在60V以上,适合于各种高压应用场合。

    3. 电流承受能力(I_D):能够承受较大的电流,通常在几十安培到上百安培,适合于大功率电路的应用。

    4. 开关速度(Switching Speed):快速的开关特性,能够实现高效的开关控制,减少能量损耗和电磁干扰。

    5. 温度稳定性:在各种工作温度下能够保持稳定的性能,确保长期稳定运行。

    综上所述,FQP75N06C作为一款性能稳定且应用广泛的功率MOSFET,通过其优良的电气特性和稳定性能,广泛用于电源管理、汽车电子、工业自动化等领域的电路设计和应用中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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