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场效应MOS管FQB13N50C参数

PD最大耗散功率:195WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB13N50C是一款N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FQB13N50C常用于开关电源(SMPS)中的主开关管,能够有效地实现电能转换,提高系统效率。它在AC-DC和DC-DC转换器中表现出色,适用于各种电子设备的电源管理。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,FQB13N50C用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高效的开关性能和低导通电阻使其在电动工具、电动车和工业自动化设备中得到广泛应用。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQB13N50C用于电池管理和逆变器电路,通过高效的电能转换和稳定的电流供应,确保在电力中断时能够持续供电,保护关键设备。

    4. 光伏逆变器:FQB13N50C在太阳能发电系统中的逆变器电路中起着关键作用,帮助将直流电转换为交流电,提供稳定的电能输出。这对于提升光伏系统的整体效率和可靠性至关重要。

    5. 音频放大器:FQB13N50C在音频放大器电路中用作功率放大元件,能够提供高功率输出,满足高保真音响系统的需求。其出色的开关特性和低噪声性能确保了音频信号的清晰度和纯净度。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQB13N50C的最大漏源电压(Vds)为500V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。这一特点确保了在电力转换和传输过程中能够承受较大的电压波动。

    - 低导通电阻:FQB13N50C的导通电阻(Rds(on))较低,典型值约为0.43Ω。这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提升系统的整体效率,并减少发热量。

    - 高电流能力:FQB13N50C的最大连续漏极电流(Id)为13A,能够承受较大的电流,通过优化设计,可以在大功率应用中提供稳定的电流输出。

    - 快速开关速度:FQB13N50C具有快速的开关速度,其典型的开关时间(tON和tOFF)分别为10ns和50ns。这一特点使其在高频应用中表现优异,能够实现高效的能量转换和传输。

    - 增强型设计:FQB13N50C采用了增强型设计,具有较高的抗击穿能力和可靠性,能够在恶劣的工作环境中稳定运行。这种设计确保了在长时间高负荷工作时依然保持良好的性能。

    综上所述,FQB13N50C凭借其高耐压、低导通电阻、高电流能力、快速开关速度以及增强型设计,成为电力电子领域中广泛应用的高性能元器件。在电源转换器、电机驱动器、UPS、光伏逆变器和音频放大器等应用中,FQB13N50C展示了其出色的性能和可靠性,为各类电力电子设备的高效运行提供了坚实的保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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