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场效应MOS管FDP16N50参数

PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP16N50是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP16N50常用于开关电源中,特别是在计算机电源、通信设备电源和家用电器电源等领域。由于其高效能和快速开关速度,能够显著提高电源的转换效率,降低能量损耗,从而实现更高的节能效果。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FDP16N50被用作H桥电路的功率开关元件。其高耐压能力和低导通电阻使其能够承受较高的电流和电压,从而保证电机在启动和运行过程中的稳定性和效率。

    3. 照明系统:FDP16N50在LED照明和HID(高强度放电)灯的驱动电路中发挥重要作用。其高效的开关性能能够提供稳定的电流输出,确保照明设备的长寿命和高可靠性。

    4. 逆变器:在太阳能和风能逆变器中,FDP16N50用于直流到交流电的转换。其高效率和耐高温性能使其能够在严苛的环境条件下稳定运行,保障逆变器的高效能和可靠性。

    5. 音频放大器:FDP16N50也被应用于高功率音频放大器电路中,特别是D类放大器。其快速开关特性和低导通损耗,使其能够提供清晰的音质和高效的功率输出。

    二、参数特点:

    1. 耐压高达500V:FDP16N50的漏源极耐压(Vds)高达500V,适用于高电压应用场景,如工业电源和大功率电机驱动等。这一特性确保了其在高压环境下的安全性和可靠性。

    2. 低导通电阻(Rds(on)):该型号的导通电阻非常低,典型值为0.27Ω。这意味着在相同电流下,FDP16N50产生的热量较少,从而提高了整体电路的效率和散热性能。

    3. 高脉冲电流能力:FDP16N50能够处理高达64A的脉冲电流,这使得其在需要短时间内处理高电流的应用中表现尤为突出,如电机启动和瞬态高负载设备。

    4. 快速开关速度:FDP16N50的开关时间非常短,这对于需要快速开关动作的应用场景非常重要,如开关电源和数字音频放大器。其开关时间通常为几十纳秒级别,确保了电路的高效运行。

    5. 耐高温特性:该器件具有出色的耐高温性能,能够在高达175°C的结温下正常工作。这使得FDP16N50能够在高温环境中保持稳定的性能,适用于工业和户外设备。

    综上所述,FDP16N50以其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和耐高温特性,在各种应用场景中展示了卓越的性能和广泛的适用性。无论是在开关电源、电机驱动、照明系统、逆变器还是音频放大器中,FDP16N50都能够提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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