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场效应MOS管FDD5353参数

PD最大耗散功率:69WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0123ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD5353是一款高效的N沟道增强型MOSFET,在各种电子应用中有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDD5353常用于DC-DC转换器和开关电源中,以其低导通电阻和高效的开关特性提供高效的电源管理解决方案。这种MOSFET能有效减少功率损耗,提高转换效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电机驱动器中,FDD5353的高电流处理能力和稳定的性能表现使其成为理想选择。这有助于提高电动汽车的能效和续航能力。

    3. 太阳能逆变器:FDD5353在太阳能光伏逆变器中也有应用。其高耐压和高开关频率特性能够有效地将太阳能转换为可用电能,同时减少转换过程中的能量损耗。

    4. 通信设备:在基站和其他通信设备中,FDD5353用作功率放大器和信号调制器的关键组件,其低噪声特性和高开关速度保证了信号传输的质量和稳定性。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,FDD5353常用于控制电机和执行器,其高可靠性和耐用性满足了工业环境的严苛要求,提高了设备的整体性能和寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FDD5353具有非常低的导通电阻,典型值为5.3mΩ,这意味着在导通状态下,它能够有效减少功耗和热损失。这一特性在需要高效能量转换的应用中尤为重要。

    - 漏极-源极电压(VDSS):FDD5353的最大漏极-源极电压为30V,这使其适用于低压电源系统和电池供电设备,确保在这些应用中的稳定运行。

    - 漏极电流(ID):该器件能够承受最高达80A的连续漏极电流,适合高电流应用。这一特点使其在电动汽车和工业自动化等领域尤为有用。

    - 门极电荷(Qg):FDD5353的总门极电荷较低,典型值为22nC。这一参数表明它具有较快的开关速度,有助于提高系统的开关效率和响应速度。

    - 热阻(RθJA):FDD5353的结到环境热阻为50°C/W,这确保了器件在高功率应用中能够有效散热,维持安全操作温度,避免过热损坏。

    通过以上介绍,我们可以看出FDD5353在多个领域的应用潜力,以及其参数特点对各种应用场景的适应性。FDD5353凭借其优越的电气性能和可靠性,成为众多工程师和设计者的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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