极性:NPNPCN(mw)功率:225mwlc(mA)电流:600mABVCBO(V)集电极-基极电压:160VBVCEO(V)集电极-发射极电压:140VBVEBO(V)发射极-基极电压:6VhFE(min)最小放大倍数:60hFE(max)最大放大倍数:250hFEVce(v)集电极与发射极电压:5VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:5VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:10mAlB(mA)基极电流:1mAFt(MHZ)频率:MHZ
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:MMBT5550在通信设备中常用于放大信号和控制电路。例如,在无线通信系统中,它可以作为中频放大器的关键组成部分。
2. 模拟电路:在模拟电路中,MMBT5550可以作为信号放大器的基础元件,用于放大微弱信号或驱动负载。
3. 开关电路:MMBT5550的快速开关特性使其在数字电路中表现优异。例如,在数字逻辑电路中,它可以作为开关元件控制逻辑门的开关状态。
4. 控制系统:在自动化控制系统中,MMBT5550可以用作电流控制、传感器接口等部分的驱动器。
二、参数特点:
1. 高频特性:MMBT5550具有较高的频率响应,适用于高频放大器和射频应用。其截止频率一般在几百兆赫兹到数千兆赫兹之间。
2. 低噪声:在信号放大应用中,噪声通常是一个重要考量因素。MMBT5550具有较低的内部噪声,有助于保持信号的清晰度和准确性。
3. 快速开关特性:MMBT5550具有快速的开关特性,使其在数字电路中表现优异。其开关时间可以在纳秒级别内完成,有助于提高系统的响应速度。
4. 小尺寸:作为SMD(表面贴装装置)组件的一种,MMBT5550具有小型化的特点,适合于集成电路和PCB板上的紧凑设计。
5. 低功耗:虽然不是其主要特点,但MMBT5550在工作时消耗的功率相对较低,这使得它在一些对功耗有严格要求的应用中具有优势。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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