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插件三极管MMBT5551参数

极性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)电流:600mABVCBO(V)集电极-基极电压:180VBVCEO(V)集电极-发射极电压:160VBVEBO(V)发射极-基极电压:6VhFE(min)最小放大倍数:100hFE(max)最大放大倍数:300hFEVce(v)集电极与发射极电压:5VhFElc(mA)集电极电流:10mAVCE(Sat)V集电极-发射极饱和电压:0.5VVCE(Sat)lc(mA)电极电流:50mAlB(mA)基极电流:5mAFt(MHZ)频率:80MHZ

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    MMBT5551是一款小信号NPN晶体管,广泛应用于高电压和低电流应用。其设计特点使其非常适合较高频率下的放大或开关操作。

    一、应用场景

    1.电路:MMBT5551广泛应用于电子设备的低功率电路、自动化设备、电源管理中的较低基数,以及电源管理电流可以驱动较高的负载。

    2.高频放大器:由于其高工作频率和低电容,MMBT5551可用于射频(RF)放大器和用于通信设备和高频信号连接的高频信号处理电路。

    3.电压转换器:广泛应用于一些需要驱动高压信号的小型DC-DC转换器电路,可以有效地实现信号转换和调节。

    4.保护电路:可用MMBT5551作为保护元件来防止这种情况发生。

    二、参数特点

    -集电极-发射极电压(Vceo)为160V:这种高电压特性可在高电压应用中实现卓越的性能,适用于高压电路和信号放大。

    -最大集电极电流为600mA:虽然MMBT5551可以处理更高的电压,但其电流容量相对较低,适合小电流负载。这使得它适合需要稳定功率控制的情况,例如信号放大。

    -优异的高频特性:该器件具有低寄生电容和高频响应(通常在100MHz左右),使其适合用于高频和高速信号处理电路。

    -低功耗:MMBT5551的功耗能力为625mW。虽然不适合高功率应用,但它们可以在低功耗电路中,特别是便携式设备和低功耗设计中提供良好的性能并有效节省能源。

    -TO-92和SOT-23封装:提供传统的TO-92封装和更小的SOT-23封装。您可以根据您的空间和散热要求选择合适的外壳形状。这使得它适用于大型和简单的板载应用程序,也可以集成到紧凑型设备中。

    综上所述,MMBT5551是一款适用于高频应用的高电压、低电流、小信号NPN晶体管。它特别适用于电路、高频放大器和电压转换器,其参数特性使其非常适合高频、高压和小电流器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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