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场效应MOS管UTD405L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:-2.5WID最大漏源电流:-18AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.032ΩVRDS(ON)ld通态电流:-18AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.2~-2.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UTD405L-TN3-R是一款广泛应用于各类电子设备中的场效应MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。这款MOS管在各种应用场景中发挥着重要作用,其参数特点也使其在众多竞争产品中脱颖而出。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UTD405L-TN3-R常用于电源管理电路,尤其是在DC-DC转换器中。它的高效能和低导通电阻使其成为电源转换过程中减少能量损耗的理想选择。

    2. 开关电路:在开关电路中,UTD405L-TN3-R表现出色。由于其快速开关能力和低栅极电荷,这款MOS管能够实现高频开关应用,适用于照明系统、开关电源等领域。

    3. 马达控制:UTD405L-TN3-R在马达控制应用中也非常常见。它能够处理较大的电流,同时保持较低的发热量,确保系统运行的稳定性和可靠性。

    4. 通信设备:在通信设备中,UTD405L-TN3-R能够有效处理信号传输过程中的电压和电流变化,提供稳定的工作性能,适用于各种通信模块和基站设备。

    5. 消费电子:UTD405L-TN3-R也广泛应用于消费电子产品,如智能手机、笔记本电脑等。这些设备要求高效、低功耗的组件,以延长电池寿命并提升设备性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):UTD405L-TN3-R具有极低的导通电阻,这意味着当MOS管导通时,电阻非常小,从而减少了电能损耗,提高了效率。

    - 高击穿电压(Vds):该MOS管具有较高的击穿电压,通常在30V以上,使其能够在高电压环境下安全运行,不易被击穿损坏。

    - 低栅极电荷(Qg):UTD405L-TN3-R的低栅极电荷特性使其能够快速响应栅极电压的变化,适合高频率的开关操作。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理较大的电流,通常可以达到数十安培,适用于需要大电流的应用场景,如电源管理和马达控制。

    - 高可靠性:UTD405L-TN3-R的设计和制造工艺确保了其高可靠性,即使在苛刻的环境下也能稳定工作。其出色的热性能和耐用性,使其在长时间运行中依然保持优异性能。

    综上所述,UTD405L-TN3-R凭借其出色的电性能和广泛的应用场景,成为电子设备中不可或缺的关键组件。这款MOS管的低导通电阻、高击穿电压、低栅极电荷、高电流处理能力和高可靠性,使其在各种应用中都能表现出色,满足不同电子设备对高效能和稳定性的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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