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场效应MOS管STW24N60DM2参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW24N60DM2是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。这款器件因其优异的性能和可靠的参数特点而广泛应用于各种领域。下面将详细介绍STW24N60DM2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW24N60DM2常用于开关模式电源(SMPS)中,特别是在高功率、高频率的应用中。其低导通电阻和快速开关速度使其在这种环境下表现出色,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 不间断电源(UPS):在不间断电源系统中,STW24N60DM2能够提供稳定的功率传输,确保在电力故障时能够迅速切换到备用电源。这款MOSFET的高可靠性和强大的电流处理能力,使其成为UPS系统中的理想选择。

    3. 逆变器和变频器:STW24N60DM2在逆变器和变频器应用中,表现出色。其高击穿电压和低损耗特性,使其能够在这些设备中高效地转换电能,从而实现更高的输出效率和更低的发热量。

    4. 工业电机驱动:工业电机驱动系统需要高效和可靠的功率元件,STW24N60DM2正是这种应用的理想选择。其高电流处理能力和耐高压特性,使其在驱动大型电机时,能够提供稳定且高效的电力输出。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器应用中,STW24N60DM2可以有效地将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,并且其高效的电能转换能力和高耐压特性,使其能够在不同的环境条件下保持稳定的性能。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STW24N60DM2具有高达600V的击穿电压,这使得它能够在高压环境下工作,适用于需要高耐压特性的应用场景。这种高电压能力也增强了其在电源转换应用中的适应性。

    - 低导通电阻:这款MOSFET的导通电阻仅为0.19Ω(典型值),这种低电阻特性能够有效减少导通损耗,从而提高整体系统的能效。此外,低导通电阻还减少了器件的发热量,延长了其使用寿命。

    - 快速开关速度:STW24N60DM2具备快速开关能力,典型的开关时间仅为几纳秒。这种快速开关特性使其在高频应用中表现尤为突出,能够显著降低开关损耗,提高工作效率。

    - 高峰值电流:STW24N60DM2能够处理高达24A的峰值电流,这使其在需要大电流传输的应用中,如电机驱动和逆变器中,能够提供稳定且高效的电力传输。

    - 耐高温性能:STW24N60DM2的最大结温高达150°C,这使其能够在高温环境下仍保持稳定的性能。这种耐高温特性对于长时间连续工作的设备尤为重要,能够确保系统的可靠性和稳定性。

    综上所述,STW24N60DM2凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、高峰值电流和耐高温性能,成为各种高效能电源转换和传输应用中的首选元件。无论是在开关电源、不间断电源、逆变器、工业电机驱动还是太阳能逆变器中,STW24N60DM2都能提供优异的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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