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场效应MOS管STP180N10F3参数

PD最大耗散功率:315WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:60AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP180N10F3是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换器领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,STP180N10F3被用来作为开关元件,能够有效地控制电源的通断,从而实现高效的能量转换和管理。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,STP180N10F3可用于升压或降压转换,提供稳定的输出电压。其低导通电阻和高开关速度使其在这些应用中表现优异。

    3. 电动工具:许多电动工具需要高效且稳定的电源管理,STP180N10F3的高电流承载能力和快速开关特性使其成为理想选择。

    4. 电动汽车:在电动汽车中,STP180N10F3被用于电池管理系统(BMS)和电机控制系统,确保能量的高效传输和转换。

    5. 逆变器:逆变器需要稳定的高频开关器件,STP180N10F3的高开关频率和低功耗特性使其在逆变器中具有广泛的应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP180N10F3具有极低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.0035Ω,这使得其在导通状态下的能量损耗极小,提高了整体系统的效率。

    - 高电流承载能力:STP180N10F3的最大连续漏极电流(ID)可达180A,能够承受高电流负载,非常适合大功率应用。

    - 高击穿电压:该器件的漏源击穿电压(VDS)为100V,确保其在高压环境下的稳定工作。

    - 快速开关速度:STP180N10F3具有极快的开关速度,开关时间(ton 和 toff)分别为10ns和50ns,使其在高频应用中表现优异。

    - 热性能优越:STP180N10F3具备良好的热性能,其最大结温(Tj)为175°C,并配备了散热性能良好的封装形式(TO-220AB),保证了其在高温环境下的可靠运行。

    通过这些优异的参数特点,STP180N10F3成为各种电源管理和转换应用中的理想选择,提供高效、稳定和可靠的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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