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场效应MOS管NTD4904NT4G参数

PD最大耗散功率:2.6WID最大漏源电流:17.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0037ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD4904NT4G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NTD4904NT4G常用于电源管理系统中,作为开关元件来实现高效的电能转换。它能够在电源转换器、电压调节器和稳压器等电路中提供稳定的电流控制。

    2. 电机驱动控制:在电机驱动控制系统中,NTD4904NT4G用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的高效导通特性和快速开关能力使其成为电机驱动电路中的理想选择。

    3. 计算机及外围设备:NTD4904NT4G在计算机和外围设备(如硬盘驱动器、光驱、打印机等)中被广泛应用,用于电源分配和保护电路,确保设备的安全运行和电源的稳定性。

    4. 通信设备:在通信设备(如路由器、交换机、基站等)中,NTD4904NT4G用于电源管理和信号调节,保障通信设备的高效运行和可靠性。

    5. 消费电子产品:在消费电子产品(如智能手机、平板电脑、电视机等)中,NTD4904NT4G常用于电源管理和功率控制电路,提升设备的电能利用效率和性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NTD4904NT4G的典型导通电阻仅为10毫欧姆(mΩ),这使其在导通状态下具有极低的功耗,提升了电路的整体效率。

    - 高电流能力:NTD4904NT4G能够处理高达75安培(A)的连续电流,这使其在高功率应用中表现出色,能够满足高电流需求的场合。

    - 耐高压性能:NTD4904NT4G的漏源极耐压(VDS)高达40伏特(V),这使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 快速开关速度:NTD4904NT4G具有极快的开关速度,能够在纳秒级别内完成开关动作,这对于需要高频操作的电路(如开关电源、脉宽调制控制器等)尤为重要。

    - 封装形式:NTD4904NT4G采用DPAK封装,这种封装形式不仅具有良好的热性能,还能够提供优异的电气性能,适合自动化生产和大规模应用。

    通过以上详细的介绍,NTD4904NT4G的应用场景和参数特点得到了全面的展示。无论是在电源管理、电机驱动、计算机设备、通信设备,还是消费电子产品中,NTD4904NT4G都展示出了其优异的性能和广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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